臺灣積體電路制造股份有限公司王嗣裕獲國家專利權
買專利賣專利找龍圖騰，真高效！ 查專利查商標用IPTOP,全免費！專利年費監控用IP管家,真方便！
龍圖騰網獲悉臺灣積體電路制造股份有限公司申請的專利存儲器裝置的半導體結構及其形成方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN113130501B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-19發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202010804770.7，技術領域涉及：H10B41/30；該發明授權存儲器裝置的半導體結構及其形成方法是由王嗣裕;胡家瑋設計研發完成，并于2020-08-12向國家知識產權局提交的專利申請。
本存儲器裝置的半導體結構及其形成方法在說明書摘要公布了：本發明實施例涉及存儲器裝置的半導體結構及其形成方法。本發明一些實施例揭露一種用于存儲器裝置的存儲器結構，其包含第一柵極結構及相鄰于所述第一柵極結構的第二柵極結構。所述第二柵極結構包含第一層及第二層，且所述第一層介于所述第二層與所述第一柵極結構之間。所述第一層及所述第二層包含相同半導體材料及相同摻雜物。所述第一層具有第一摻雜物濃度，且所述第二層具有不同于所述第一摻雜物濃度的第二摻雜物濃度。
本發明授權存儲器裝置的半導體結構及其形成方法在權利要求書中公布了：1.一種用于存儲器裝置的半導體結構，其包括： 第一柵極結構；及 第二柵極結構，其相鄰于所述第一柵極結構， 其中所述第二柵極結構包括第一層及第二層，所述第一層介于所述第二層與所述第一柵極結構之間，所述第一層及所述第二層包括相同半導體材料及相同摻雜物，所述第一層具有第一摻雜物濃度，且所述第二層具有不同于所述第一摻雜物濃度的第二摻雜物濃度，且 其中所述第二柵極結構包括n型柵極結構，且所述第二層的所述第二摻雜物濃度小于所述第一層的所述第一摻雜物濃度。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人臺灣積體電路制造股份有限公司，其通訊地址為：中國臺灣新竹市新竹科學工業園力行六路8號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
以上內容由AI智能生成
免責聲明
1、本報告根據公開、合法渠道獲得相關數據和信息，力求客觀、公正，但并不保證數據的最終完整性和準確性。
2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
1、本報告根據公開、合法渠道獲得相關數據和信息，力求客觀、公正，但并不保證數據的最終完整性和準確性。
2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
開放平臺
擔保交易
惠及多方
會員特惠
專屬平臺
適合多方
數據共享
功能齊全
皖公網安備 34010402703815號