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龍圖騰網(wǎng)獲悉松山湖材料實(shí)驗(yàn)室申請的專利雙面PERC太陽能電池的背面結(jié)構(gòu)刻蝕方法及其刻蝕液獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號為：CN114267580B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-09-19發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為：202010974812.1，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H01L21/306；該發(fā)明授權(quán)雙面PERC太陽能電池的背面結(jié)構(gòu)刻蝕方法及其刻蝕液是由陳偉;劉堯平;肖川;張小虎;王燕;杜小龍設(shè)計研發(fā)完成，并于2020-09-16向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。

本雙面PERC太陽能電池的背面結(jié)構(gòu)刻蝕方法及其刻蝕液在說明書摘要公布了：本發(fā)明公開了一種雙面PERC太陽能電池的背面結(jié)構(gòu)刻蝕方法及其刻蝕液，使晶硅片的背面浸入刻蝕液中，在溫度8℃～40℃下刻蝕30s～180s，對晶硅片背面的金字塔形貌結(jié)構(gòu)的塔尖進(jìn)行刻蝕削平形成四棱臺形貌結(jié)構(gòu)。整個刻蝕方法工藝簡單，與目前的刻蝕工藝兼容，能對晶硅片背面的金字塔形貌結(jié)構(gòu)的塔尖進(jìn)行刻蝕削平形成四棱臺形貌結(jié)構(gòu)，該四棱臺形貌結(jié)構(gòu)的頂面為平面，易于后續(xù)鈍化膜的沉積，反射率可控，同時兼顧電池的光學(xué)和電學(xué)性能，得到的雙面太陽能電池背面效率高，雙面率高；同時所采用的刻蝕液不含氮，有效避免了現(xiàn)有技術(shù)酸刻蝕中的硝酸排放，廢液處理成本低，對環(huán)保壓力小，而且原料化學(xué)藥液成本低，易于獲得。

本發(fā)明授權(quán)雙面PERC太陽能電池的背面結(jié)構(gòu)刻蝕方法及其刻蝕液在權(quán)利要求書中公布了：1.一種雙面PERC太陽能電池的背面結(jié)構(gòu)刻蝕方法，其特征在于，其包括以下步驟： 1預(yù)備擴(kuò)散后的晶硅片,該晶硅片的背面上具有金字塔形貌結(jié)構(gòu)，該金字塔形貌結(jié)構(gòu)的底邊長1～5微米，高度為0.7～3.5微米； 2配置刻蝕液：將氟離子源、含氯的離子源、氧化劑和去離子水相混合獲得刻蝕液，其中所述氟離子源的濃度為0.1molL～8molL，所述含氯的離子源的濃度為0.01molL～13molL，所述氧化劑的濃度為0.01molL～3molL； 步驟2還添加有添加劑，該添加劑與刻蝕液的質(zhì)量比為0.2～5:100，所述添加劑由以下質(zhì)量份數(shù)比組分組成：0.1～5質(zhì)量份十二烷基硫酸鈉、1～3質(zhì)量份檸檬酸鈉、0.5～3質(zhì)量份瓜爾豆膠、100質(zhì)量份水； 3背面刻蝕：將晶硅片平放于輸送設(shè)備上，由輸送設(shè)備向前輸送，使晶硅片的背面浸入刻蝕液中，在溫度8℃～40℃下刻蝕30s～180s，對晶硅片背面的金字塔形貌結(jié)構(gòu)的塔尖進(jìn)行刻蝕削平形成四棱臺形貌結(jié)構(gòu)，該四棱臺形貌結(jié)構(gòu)的底面邊長1～5微米，頂面邊長為0.3～3微米，高度為0.3～3微米；四棱臺形貌結(jié)構(gòu)的頂面為平面，易于鈍化。

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