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龍圖騰網(wǎng)獲悉三星電子株式會(huì)社申請(qǐng)的專(zhuān)利集成電路器件及其制造方法獲國(guó)家發(fā)明授權(quán)專(zhuān)利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專(zhuān)利權(quán)由國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號(hào)為：CN112614776B 。

龍圖騰網(wǎng)通過(guò)國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-09-19發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專(zhuān)利申請(qǐng)?zhí)?專(zhuān)利號(hào)為：202011005118.5，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H01L21/28；該發(fā)明授權(quán)集成電路器件及其制造方法是由崔宰福;安容奭;李承炯設(shè)計(jì)研發(fā)完成，并于2020-09-22向國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的專(zhuān)利申請(qǐng)。

本集成電路器件及其制造方法在說(shuō)明書(shū)摘要公布了：一種制造集成電路器件的方法包括：在襯底上方，形成在與襯底的頂表面平行的第一方向上延伸并且在第二方向上以第一間距布置的第一硬掩模圖案；使用第一硬掩模圖案作為蝕刻掩模在襯底中形成多個(gè)第一溝槽；在多個(gè)第一溝槽的內(nèi)壁上形成多個(gè)第一柵電極；在襯底上方，形成在第一方向上延伸并且在第二方向上以第二間距布置的第二硬掩模圖案；使用第二硬掩模圖案作為蝕刻掩模在襯底中形成多個(gè)第二溝槽，該多個(gè)第二溝槽中的每個(gè)第二溝槽設(shè)置在兩個(gè)相鄰的第一溝槽之間；以及在多個(gè)第二溝槽的內(nèi)壁上形成多個(gè)第二柵電極。

本發(fā)明授權(quán)集成電路器件及其制造方法在權(quán)利要求書(shū)中公布了：1.一種制造集成電路器件的方法，所述方法包括： 在襯底上方形成第一硬掩模圖案，所述第一硬掩模圖案在平行于所述襯底的頂表面的第一方向上延伸，所述第一硬掩模圖案在第二方向上以第一間距布置，所述第二方向垂直于所述第一方向； 通過(guò)使用所述第一硬掩模圖案作為蝕刻掩模在所述襯底中形成多個(gè)第一溝槽； 在所述多個(gè)第一溝槽中形成多個(gè)第一柵電極； 在所述襯底上方形成第二硬掩模圖案，所述第二硬掩模圖案在所述第一方向上延伸并且在所述第二方向上以第二間距布置； 通過(guò)使用所述第二硬掩模圖案作為蝕刻掩模在所述襯底中形成多個(gè)第二溝槽，所述多個(gè)第二溝槽中的每個(gè)第二溝槽位于所述多個(gè)第一溝槽中的兩個(gè)相鄰的第一溝槽之間；以及 在所述多個(gè)第二溝槽中形成多個(gè)第二柵電極， 其中，所述多個(gè)第一柵電極在所述第二方向上與所述多個(gè)第二柵電極交替。

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