意法半導體股份有限公司D·朱斯蒂獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉意法半導體股份有限公司申請的專利用于硬盤存儲器系統的讀/寫設備以及對應的制造工藝獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN115938403B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-19發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202211584388.5，技術領域涉及：G11B5/56；該發明授權用于硬盤存儲器系統的讀/寫設備以及對應的制造工藝是由D·朱斯蒂;M·費雷拉設計研發完成，并于2020-11-27向國家知識產權局提交的專利申請。
本用于硬盤存儲器系統的讀/寫設備以及對應的制造工藝在說明書摘要公布了：本公開的各種實施例提供了用于硬盤存儲器系統的讀寫設備以及對應的制造工藝。該讀寫設備包括固定結構；膜區域，包括被約束到固定結構的第一膜和第二膜以及介于第一膜與第二膜之間的中心部分；第一壓電致動器和第二壓電致動器，分別被機械地耦合到第一膜和第二膜；以及讀寫頭，被固定到膜區域的中心部分。可以控制第一壓電致動器和第二壓電致動器以導致第一膜和第二膜的對應的變形，第一膜和第二膜的所述變形導致讀寫頭相對于固定結構的對應的移動。
本發明授權用于硬盤存儲器系統的讀/寫設備以及對應的制造工藝在權利要求書中公布了：1.一種電子設備，包括： 基底； 所述基底中的第一空腔； 第一膜，覆蓋所述第一空腔； 第一致動器，覆蓋所述第一膜； 第二空腔，在所述基底中，所述第一空腔和所述第二空腔通過所述基底的一部分彼此間隔開； 第二膜，覆蓋所述第二空腔，所述第一膜和所述第二膜由延伸到所述第一空腔和所述第二空腔之上的半導體主體的部分形成； 第二致動器，覆蓋所述第二膜； 第一溝槽，延伸到所述基底中；以及 第二溝槽，延伸到所述基底中，所述第一溝槽和所述第二溝槽連通所述第一空腔和所述第二空腔，所述第一致動器和所述第二致動器定位在所述第一溝槽與所述第二溝槽之間， 其中讀寫頭被固定到膜區域的中心部分，所述膜區域的中心部分介于所述第一膜和所述第二膜之間，以及 其中所述第一致動器和所述第二致動器通過電壓控制使所述第一膜和所述第二膜變形，使所述讀寫頭相對于所述基底平移。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人意法半導體股份有限公司，其通訊地址為：意大利阿格拉布里安扎；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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