浜松光子學株式會社平光純獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉浜松光子學株式會社申請的專利光傳感器獲國家發明授權專利權,本發明授權專利權由國家知識產權局授予,授權公告號為:CN115516636B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-19發布的發明授權授權公告中獲悉:該發明授權的專利申請號/專利號為:202180033487.1,技術領域涉及:H10F39/18;該發明授權光傳感器是由平光純;間瀬光人;島田明洋;石井博明;伊藤聰典;田中祐馬設計研發完成,并于2021-01-12向國家知識產權局提交的專利申請。
本光傳感器在說明書摘要公布了:光傳感器包括:具有分別呈層狀形成的第1導電型的第1倍增區域和第2導電型的第2倍增區域的雪崩倍增區域;當將在第1倍增區域和第2倍增區域的厚度方向上第2倍增區域相對于第1倍增區域所在的一側作為第1側時,相對于第2倍增區域配置在第1側的第2導電型的電荷收集區域;和相對于第2倍增區域配置在第1側的第1導電型的第1導電型區域。第2倍增區域具有在厚度方向上與電荷收集區域重疊的第1部分和在厚度方向上與第1導電型區域重疊的第2部分。第1部分的雜質的濃度高于第2部分的雜質的濃度。
本發明授權光傳感器在權利要求書中公布了:1.一種光傳感器,其中, 具備: 具有分別呈層狀形成的第1導電型的第1倍增區域和第2導電型的第2倍增區域的雪崩倍增區域; 當將在所述第1倍增區域和所述第2倍增區域的厚度方向上所述第2倍增區域相對于所述第1倍增區域所在的一側作為第1側時,相對于所述第2倍增區域配置在所述第1側的第2導電型的電荷收集區域;和 相對于所述第2倍增區域配置在所述第1側的第1導電型的第1導電型區域, 所述第2倍增區域具有在所述厚度方向上與所述電荷收集區域重疊的第1部分和在所述厚度方向上與所述第1導電型區域重疊的第2部分, 所述第1部分的雜質的濃度高于所述第2部分的雜質的濃度。
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