廣州市香港科大霍英東研究院羅正湯獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉廣州市香港科大霍英東研究院申請的專利一種形貌可控的單層六方氮化硼生長方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN113549897B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-19發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202110610425.4，技術領域涉及：C23C16/34；該發明授權一種形貌可控的單層六方氮化硼生長方法是由羅正湯;劉宏偉設計研發完成，并于2021-06-01向國家知識產權局提交的專利申請。
本一種形貌可控的單層六方氮化硼生長方法在說明書摘要公布了：一種形貌可控的單層六方氮化硼生長方法，涉及二維材料合成領域；包括以下步驟：S1，將金屬箔作為生長基底置于支撐材料上，然后將載有金屬箔的支撐材料放入化學氣相沉積裝置的反應區中；S2，將含有氮源和硼源的前驅體置于化學氣相沉積裝置的上游區，所述上游區位于所述反應區之沿載氣流動方向的上游方向；S3，通入載氣，加熱反應區，直至金屬箔呈完全熔融狀態，然后加熱所述上游區，上游區的溫度為75～90℃，進行化學氣相沉積反應5～40min，冷卻，得到六方氮化硼二維材料。采用熔融金屬表面作為二維六方氮化硼的生長基底，具有成核均勻，生長快速等優點；通過控制前驅體的加熱溫度，在熔融銅表面上獲得高質量的形狀可控的六方氮化硼晶疇。
本發明授權一種形貌可控的單層六方氮化硼生長方法在權利要求書中公布了：1.一種形貌可控的單層六方氮化硼生長方法，其特征在于，包括以下步驟： S1，將金屬箔作為生長基底置于支撐材料上，然后將載有金屬箔的支撐材料放入化學氣相沉積裝置的反應區中； S2，將含有氮源和硼源的前驅體置于化學氣相沉積裝置的上游區，所述上游區位于所述反應區之沿載氣流動方向的上游方向； 步驟S2中具體操作為，取前驅體置于石英舟中，將載有前驅體的石英舟放置于上游區中，所述上游區距離金屬箔中心30-40cm； S3，通入載氣，加熱反應區，直至金屬箔呈完全熔融狀態，然后加熱所述上游區，上游區的溫度為75～90℃，進行化學氣相沉積反應5～20min，冷卻，得到六方氮化硼二維材料； 步驟S3中，所述載氣為氬氣和氫氣組成的混合氣體，所述氬氣的流速為180-220sccm，所述氫氣的流速為18-22sccm。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人廣州市香港科大霍英東研究院，其通訊地址為：511458 廣東省廣州市南沙區南沙資訊科技園科技樓；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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