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龍圖騰網獲悉陶氏東麗株式會社申請的專利由聚有機硅氧烷固化物膜構成的層疊體、其用途及其制造方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN116194294B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-19發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202180061316.X，技術領域涉及：B32B27/00；該發明授權由聚有機硅氧烷固化物膜構成的層疊體、其用途及其制造方法是由福井弘;外山香子;赤坂昌保;津田武明設計研發完成，并于2021-06-21向國家知識產權局提交的專利申請。

本由聚有機硅氧烷固化物膜構成的層疊體、其用途及其制造方法在說明書摘要公布了：本發明提供一種層疊體、其用途以及制造方法，該層疊體是將由于如電介質層和電極層那樣所要求的功能不同，因此其組成相互不同的固化性聚有機硅氧烷組合物固化而得到的兩層以上的聚有機硅氧烷固化物膜層疊而成的層疊體，在構成所述層疊體的固化物膜的界面處不易產生其粘接強度和隨動性的不足帶來的剝離、缺陷的問題。一種層疊體，其具有將組成不同的聚有機硅氧烷固化物膜層疊兩層以上的結構，并且層疊后的固化物膜在其界面處具有化學鍵合而成的結構，兩層以上的該聚有機硅氧烷固化物膜的參與固化反應的官能團的至少一部分共同。優選的是，所述組合物都包含氫化硅烷化反應性基團，并且其組合物中的SiHVi比不同，層疊后的固化物膜在其界面處具有通過氫化硅烷化反應而化學鍵合而成的結構。

本發明授權由聚有機硅氧烷固化物膜構成的層疊體、其用途及其制造方法在權利要求書中公布了：1.一種層疊體，所述層疊體具有將組成相互不同的聚有機硅氧烷固化物膜層疊兩層以上的結構，兩層以上的所述聚有機硅氧烷固化物膜是將參與固化反應的官能團的至少一部分共同的固化性聚有機硅氧烷組合物固化而得到的，其中， 通過固化而提供聚有機硅氧烷固化物膜的固化性聚有機硅氧烷組合物至少含有： A分子內具有至少兩個包含碳-碳雙鍵的固化反應性基團的聚有機硅氧烷； B分子中具有至少兩個硅鍵合氫原子的有機氫聚硅氧烷，相對于組合物中的碳-碳雙鍵的合計量1摩爾，本成分中的硅原子鍵合氫原子成為0.5摩爾～2.5摩爾的量；以及 C有效量的氫化硅烷化反應用催化劑， 并且，層疊后的聚有機硅氧烷固化物膜在其界面處具有通過所述的成分A與成分B間的氫化硅烷化反應而化學鍵合而成的結構，是將相互組成不同的固化性聚有機硅氧烷組合物固化而得到的聚有機硅氧烷固化物膜， 一方的聚有機硅氧烷固化物膜是I將相對于組合物中的碳-碳雙鍵的合計量1摩爾，有機氫聚硅氧烷成分中的硅原子鍵合氫原子超過1.0摩爾且為2.0摩爾以下的固化性聚有機硅氧烷組合物固化而得到的固化物膜，其中包含導電性微粒，相對于組合物中的碳-碳雙鍵的合計量1摩爾的有機氫聚硅氧烷成分中的硅原子鍵合氫原子的物質量[SiHVi]Elec為0.7摩爾以上且0.8摩爾以下， 另一方的聚有機硅氧烷固化物膜是II將相對于組合物中的碳-碳雙鍵的合計量1摩爾，有機氫聚硅氧烷成分中的硅原子鍵合氫原子為0.5摩爾以上且1.0摩爾以下的固化性聚有機硅氧烷組合物固化而得到的固化物膜，其為電介質層，不含導電性微粒，相對于組合物中的碳-碳雙鍵的合計量1摩爾，關于有機氫聚硅氧烷成分中的硅原子鍵合氫原子的物質量[SiHVi]DEAP，[SiHVi]Elec[SiHVi]DEAP的值在0.58～0.67的范圍內。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人陶氏東麗株式會社，其通訊地址為：日本東京都；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。