南亞科技股份有限公司簡榮興獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉南亞科技股份有限公司申請的專利存儲器元件及其制備方法獲國家發明授權專利權,本發明授權專利權由國家知識產權局授予,授權公告號為:CN114512163B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-19發布的發明授權授權公告中獲悉:該發明授權的專利申請號/專利號為:202110954467.X,技術領域涉及:G11C11/401;該發明授權存儲器元件及其制備方法是由簡榮興設計研發完成,并于2021-08-19向國家知識產權局提交的專利申請。
本存儲器元件及其制備方法在說明書摘要公布了:提供一種存儲器元件,包括半導體基底,具有第一主動區以及第二主動區,第二主動區鄰近第一主動區。該存儲器元件還具有第一字元線,延伸經過第一主動區與第二主動區。該存儲器元件還具有位在第一主動區中的第一源極漏極區以及位在第二主動區中的第二源極漏極區,而第一源極漏極區與第二源極漏極區設置在第一字元線的相對兩側處。此外,該存儲器元件具有第一電容器以及第二電容器;第一電容器設置在第一主動區中的第一源極漏極區上,且電性連接到位在第一主動區中的第一源極漏極區;而第二電容器設置在第二主動區中的第二源極漏極區上,且電性連接到位在第二主動區中的第二源極漏極區。第一電容器與第二電容器具有不同尺寸。
本發明授權存儲器元件及其制備方法在權利要求書中公布了:1.一種存儲器元件,包括: 一半導體基底,具有一第一主動區以及一第二主動區,該第二主動區鄰近該第一主動區;其中該第一主動區包括一第一源極漏極區以及該第二主動包括一第二源極漏極區; 一第一字元線,延伸經過該第一主動區與該第二主動區兩者;其中位在該第一主動區中的該第一源極漏極區以及位在該第二主動區中的該第二源極漏極區設置在該第一字元線的相對兩側處,其中該第一源極漏極區與該第二源極漏極區通過該第一字元線而分隔開; 一第一電容器,設置在該第一主動區中的該第一源極漏極區上,且電性連接到位在該第一主動區中的該第一源極漏極區;以及 一第二電容器,設置在該第二主動區中的該第二源極漏極區上,且電性連接到位在該第二主動區中的該第二源極漏極區,其中位在該第一主動區中的該第一電容器與位在第二主動區中的該第二電容器具有不同尺寸,該第一電容器與該第二電容器兩者都由該第一字元線延伸經過。
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