格芯(美國)集成電路科技有限公司Y·T·尼古獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉格芯(美國)集成電路科技有限公司申請的專利包括下方具有含摻雜劑的多晶區的多晶電阻器的結構獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN114335340B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-19發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202111133077.2，技術領域涉及：H10D1/47；該發明授權包括下方具有含摻雜劑的多晶區的多晶電阻器的結構是由Y·T·尼古;S·P·阿杜蘇米利;S·M·尚克;M·J·齊拉克;M·H·余設計研發完成，并于2021-09-27向國家知識產權局提交的專利申請。
本包括下方具有含摻雜劑的多晶區的多晶電阻器的結構在說明書摘要公布了：本公開涉及一種包括下方具有含摻雜劑的多晶區的多晶電阻器的結構。一種結構包括：半導體襯底；以及位于半導體襯底之上的多晶電阻器區。多晶電阻器區包括多晶形態的半導體材料。含摻雜劑的多晶區位于多晶電阻器區和半導體襯底之間。
本發明授權包括下方具有含摻雜劑的多晶區的多晶電阻器的結構在權利要求書中公布了：1.一種電阻器結構，包括： 半導體襯底； 位于所述半導體襯底之上的多晶電阻器區，所述多晶電阻器區包括多晶形態的半導體材料；以及 位于所述多晶電阻器區和所述半導體襯底之間的含摻雜劑的多晶區， 其中所述含摻雜劑的多晶區中的摻雜劑包括惰性氣體元素。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人格芯(美國)集成電路科技有限公司，其通訊地址為：美國加利福尼亞州；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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1、本報告根據公開、合法渠道獲得相關數據和信息，力求客觀、公正，但并不保證數據的最終完整性和準確性。
2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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