重慶平創半導體研究院有限責任公司錢靖獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉重慶平創半導體研究院有限責任公司申請的專利一種碳化硅封裝結構及封裝方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN113903710B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-19發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202111159907.9，技術領域涉及：H01L23/04；該發明授權一種碳化硅封裝結構及封裝方法是由錢靖;陳顯平;羅厚彩設計研發完成，并于2021-09-30向國家知識產權局提交的專利申請。
本一種碳化硅封裝結構及封裝方法在說明書摘要公布了：本發明涉及半導體技術領域，具體涉及一種碳化硅封裝結構及封裝方法，所述結構通過方法制成，結構包括基板和半導體芯片，半導體芯片位于基板中部，中部為凹槽狀設置且倒扣于半導體芯片上表面的SiC封裝外殼，SiC封裝外殼上設有連通SiC封裝外殼內外兩側面的電極連接區，電極連接區在SiC封裝外殼內側面上設置有設定高度的電極區凸起，電極區凸起與半導體芯片上表面的電極區域焊接設置，SiC封裝外殼與基板連接處焊接設置，電極連接區在SiC封裝外殼外側面上焊接有引出電極。本發明可將封裝外殼體積進一步縮小，且能減小熱應力，提高器件的可靠性。同時提高熱導，滿足碳化硅器件的散熱需求。此外，本結構還具備一定的抗輻照能力，拓展其在空間領域中的應用。
本發明授權一種碳化硅封裝結構及封裝方法在權利要求書中公布了：1.一種碳化硅封裝結構的封裝方法，其特征在于：包括以下步驟： 在SiC晶體上且對應半導體芯片電極區的部位采用滲透工藝滲透金屬材料，形成連通SiC封裝外殼兩側面的電極連接區； 在SiC晶體上且存在電極連接區的一側面進行刻蝕處理，形成中部為凹槽狀的SiC封裝外殼；并將凹槽內的電極連接區保留設定高度，形成電極區凸起； 將SiC封裝外殼倒扣于基板上設置的半導體芯片上方，并將電極區凸起與半導體芯片上表面的電極區域焊接設置，以及將SiC封裝外殼與基板連接處焊接設置； 在SiC封裝外殼外側面上的電極連接區上采用鋁帶或銅帶鍵合工藝設置引出電極。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人重慶平創半導體研究院有限責任公司，其通訊地址為：401120 重慶市璧山區璧泉街道東林大道92號(52號廠房、53號廠房)；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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