廣州大學葛軍獲國家專利權(quán)
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龍圖騰網(wǎng)獲悉廣州大學申請的專利一種憶阻器及其制備方法和應用獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號為：CN114038995B 。
龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-09-19發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為：202111192931.2，技術領域涉及：H10N70/20；該發(fā)明授權(quán)一種憶阻器及其制備方法和應用是由葛軍;馬澤霖;曹栩誠;陳莞君;刁山青;潘書生設計研發(fā)完成，并于2021-10-13向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。
本一種憶阻器及其制備方法和應用在說明書摘要公布了：本發(fā)明公開了一種憶阻器及其制備方法和應用，該憶阻器包括從上到下依次設置的頂電極、阻變層及底電極，所述底電極為含硅襯底，所述阻變層為含硅襯底表面形成的天然氧化層。本發(fā)明中的憶阻器采用天然氧化層作為阻變層，天然氧化層是由空氣自然氧化形成，具有厚度薄、與含硅襯底之間幾乎完美的接觸界面、表面原子級別光滑、無需人工制備、成本低、與互補金屬氧化物半導體工藝兼容等優(yōu)勢，克服了本領域普遍認為的含硅襯底表面的天然氧化層不利于憶阻器性能的技術偏見。此外，本發(fā)明中的憶阻器同時具有優(yōu)異的數(shù)據(jù)保持能力、高穩(wěn)定性、模擬開關特性三種性能。
本發(fā)明授權(quán)一種憶阻器及其制備方法和應用在權(quán)利要求書中公布了：1.一種憶阻器，其特征在于：包括從上到下依次設置的頂電極、阻變層及底電極，所述底電極為含硅襯底，所述阻變層為含硅襯底表面形成的天然氧化層；所述天然氧化層為氧化硅；所述天然氧化層的厚度為0.1～4nm；所述頂電極為貴金屬電極層；所述貴金屬電極層為金銀復合電極層；所述金銀復合電極層包括銀納米團簇和金包覆層，所述銀納米團簇位于靠近阻變層處的金包覆層內(nèi)。
如需購買、轉(zhuǎn)讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯(lián)系本專利的申請人或?qū)＠麢?quán)人廣州大學，其通訊地址為：510006 廣東省廣州市大學城外環(huán)西路230號；或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服，聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。
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1、本報告根據(jù)公開、合法渠道獲得相關數(shù)據(jù)和信息，力求客觀、公正，但并不保證數(shù)據(jù)的最終完整性和準確性。
2、報告中的分析和結(jié)論僅反映本公司于發(fā)布本報告當日的職業(yè)理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據(jù)或者憑證。
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