拓荊科技股份有限公司關帥獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉拓荊科技股份有限公司申請的專利用于半導體工藝的氣體混合裝置及半導體工藝設備獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN114210220B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-19發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202111522231.5，技術領域涉及：B01F25/20；該發明授權用于半導體工藝的氣體混合裝置及半導體工藝設備是由關帥;野沢俊久;吳鳳麗設計研發完成，并于2021-12-13向國家知識產權局提交的專利申請。
本用于半導體工藝的氣體混合裝置及半導體工藝設備在說明書摘要公布了：本發明揭露一種用于半導體工藝的氣體混合裝置，其從上游端至下游端依序包含：一窄孔，界定于所述本體中且具有一上游端及一下游端；一緩沖空間，界定于所述本體中且具有一上游端及一下游端，所述緩沖空間的上游端流體連接至所述窄孔的下游端，且所述緩沖空間的寬度大于所述窄孔的寬度；及一分流板，具有一上表面及一下表面，所述分流板的上表面及下表面之間形成有多個分流孔，所述多個分流孔流體連接至所述緩沖空間的下游端。其特征在于，所述分流板的上表面形成有一凹穴，且所述凹穴正對所述窄孔的下游端，借此使通過所述窄孔的氣流撞擊所述凹穴的壁而形成湍流。此外，本發明還提供了一種半導體工藝設備。
本發明授權用于半導體工藝的氣體混合裝置及半導體工藝設備在權利要求書中公布了：1.一種用于半導體工藝的氣體混合裝置，其特征在于，包括： 一本體，具有一上游端及一下游端，且所述上游端與所述下游端之間依序包含： 一窄孔，界定于所述本體中且具有一上游端及一下游端，所述窄孔的上游端配置為接收第一氣體和第二氣體； 一緩沖空間，界定于所述本體中且具有一上游端及一下游端，所述緩沖空間的上游端流體連接至所述窄孔的下游端，且所述緩沖空間的寬度大于所述窄孔的寬度； 及一分流板，具有一上表面及一下表面，所述分流板的上表面及下表面之間形成有多個分流孔，所述多個分流孔流體連接至所述緩沖空間的下游端，其中，所述分流板的上表面形成有一凹穴，且所述凹穴正對所述窄孔的下游端，藉此使通過所述窄孔的氣流撞擊所述凹穴的壁被反彈而形成湍流。
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