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龍圖騰網(wǎng)獲悉青島惠科微電子有限公司;青島惠芯微電子有限公司;北海惠科半導(dǎo)體科技有限公司申請的專利肖特基二極管及肖特基二極管的制備方法獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號為：CN114709252B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-09-19發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為：202210307568.2，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H10D62/10；該發(fā)明授權(quán)肖特基二極管及肖特基二極管的制備方法是由王國峰;李京兵;石曉宇設(shè)計(jì)研發(fā)完成，并于2022-03-25向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。

本肖特基二極管及肖特基二極管的制備方法在說明書摘要公布了：本申請涉及一種肖特基二極管及肖特基二極管的制備方法，其中，肖特基二極管包括外延層、第一氧化層、勢壘層、第一金屬層以及第二金屬層，其中，外延層設(shè)置有PN結(jié)，PN結(jié)沿外延層厚度方向?qū)⑼庋訉觿澐譃镻區(qū)和N區(qū)，外延層還設(shè)置有環(huán)形凹槽，環(huán)形凹槽的開口端設(shè)置于P區(qū)；第一氧化層設(shè)置于P區(qū)遠(yuǎn)離N區(qū)的一面，且位于環(huán)形凹槽的環(huán)形外；勢壘層設(shè)置于P區(qū)遠(yuǎn)離N區(qū)的一面，且位于環(huán)形凹槽的環(huán)形內(nèi)；第一金屬層設(shè)置于第一氧化層遠(yuǎn)離外延層的一面；第二金屬層設(shè)置于勢壘層遠(yuǎn)離外延層的一面；填充結(jié)構(gòu)設(shè)置于環(huán)形凹槽的凹槽內(nèi)。本申請通過PN結(jié)以及環(huán)形凹槽的設(shè)置，進(jìn)一步提高了反向擊穿電壓，同時(shí)可有效降低反向漏電電流，提高高溫反向偏壓的可靠性。

本發(fā)明授權(quán)肖特基二極管及肖特基二極管的制備方法在權(quán)利要求書中公布了：1.一種肖特基二極管，其特征在于，包括： 外延層，設(shè)置有PN結(jié)，所述PN結(jié)沿所述外延層厚度方向?qū)⑺鐾庋訉觿澐譃镻區(qū)和N區(qū)，所述外延層還設(shè)置有環(huán)形凹槽，所述環(huán)形凹槽的開口端設(shè)置于所述P區(qū)； 第一氧化層，設(shè)置于所述P區(qū)遠(yuǎn)離所述N區(qū)的一面，且位于所述環(huán)形凹槽的環(huán)形外； 勢壘層，設(shè)置于所述P區(qū)遠(yuǎn)離所述N區(qū)的一面，且位于所述環(huán)形凹槽的環(huán)形內(nèi)； 第一金屬層，設(shè)置于所述第一氧化層遠(yuǎn)離所述外延層的一面； 第二金屬層，設(shè)置于所述勢壘層遠(yuǎn)離所述外延層的一面； 填充結(jié)構(gòu)，設(shè)置于所述環(huán)形凹槽的凹槽內(nèi); 所述填充結(jié)構(gòu)包括： 第二氧化層，設(shè)置于所述環(huán)形凹槽的內(nèi)腔壁；以及 第三金屬層，設(shè)置于所述環(huán)形凹槽，所述第三金屬層位于所述第二氧化層的表面。

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