買專利賣專利找龍圖騰，真高效！ 查專利查商標用IPTOP,全免費！專利年費監(jiān)控用IP管家,真方便！

龍圖騰網(wǎng)獲悉紹興中芯集成電路制造股份有限公司申請的專利一種SOI晶圓及制造方法獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號為：CN115188703B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-09-19發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為：202210526183.5，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H01L21/762；該發(fā)明授權(quán)一種SOI晶圓及制造方法是由蔣興教;梁昕;郭晨浩;宋飛;張濤設(shè)計研發(fā)完成，并于2022-05-16向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。

本一種SOI晶圓及制造方法在說明書摘要公布了：本發(fā)明涉及一種SOI晶圓及制造方法，該制造方法包括：提供第一硅晶圓和第二硅晶圓；分別在第一硅晶圓的鍵合面和第二硅晶圓的鍵合面形成鍵合面氧化層；分別對第一硅晶圓的鍵合面及第二硅晶圓的鍵合面進行等離子體注入；將等離子體注入后的第一硅晶圓的鍵合面與第二硅晶圓的鍵合面鍵合；鍵合后，對第一硅晶圓的非鍵合面進行第一次減薄；第一次減薄后，在第二硅晶圓的非鍵合面形成介質(zhì)層。本發(fā)明在SOI晶圓的第二硅晶圓背面沉積一層介質(zhì)層，可降低SOI晶圓的應(yīng)力和彎曲度，并且該介質(zhì)層是在第一硅晶圓與第二硅晶圓鍵合后且對第一硅晶圓第一次減薄后形成，有利于減少第一硅晶圓與第二硅晶圓鍵合面的鍵合空洞。

本發(fā)明授權(quán)一種SOI晶圓及制造方法在權(quán)利要求書中公布了：1.一種SOI晶圓的制造方法，其特征在于，包括： 提供第一硅晶圓和第二硅晶圓； 分別在所述第一硅晶圓的鍵合面和所述第二硅晶圓的鍵合面形成鍵合面氧化層；在所述第一硅晶圓的非鍵合面和所述第二硅晶圓的非鍵合面各自形成非鍵合面氧化層； 分別對所述第一硅晶圓的鍵合面及所述第二硅晶圓的鍵合面進行等離子體注入； 將所述等離子體注入后的所述第一硅晶圓的鍵合面與所述第二硅晶圓的鍵合面鍵合； 所述鍵合后，對所述第一硅晶圓的非鍵合面進行第一次減薄； 所述第一次減薄后，在所述第二硅晶圓的非鍵合面形成介質(zhì)層，所述介質(zhì)層形成于所述第二硅晶圓的非鍵合面氧化層表面； 所述介質(zhì)層形成后，對所述第一硅晶圓的非鍵合面進行第二次減薄。

如需購買、轉(zhuǎn)讓、實施、許可或投資類似專利技術(shù)，可聯(lián)系本專利的申請人或?qū)＠麢?quán)人紹興中芯集成電路制造股份有限公司，其通訊地址為：312000 浙江省紹興市越城區(qū)皋埠街道臨江路518號；或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服，聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。