湖南三安半導體有限責任公司房育濤獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉湖南三安半導體有限責任公司申請的專利半導體外延結構、半導體器件及其制備方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN114883405B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-19發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202210604325.5，技術領域涉及：H10D30/47；該發明授權半導體外延結構、半導體器件及其制備方法是由房育濤;夏德洋;葉念慈;張潔設計研發完成，并于2022-05-30向國家知識產權局提交的專利申請。
本半導體外延結構、半導體器件及其制備方法在說明書摘要公布了：本發明的實施例提供了一種半導體外延結構、半導體器件及其制備方法，涉及半導體外延技術領域，該半導體外延結構包括硅襯底、富鋁硅層和AlN成核層，通過在硅襯底上形成富鋁硅層，再在富鋁硅層上形成成核層，其中，所述富鋁硅層能夠抑制所述硅襯底的表面形成無定型SiN。相較于現有技術，本發明實施例通過設置富鋁硅層，可以避免形成AlN成核層的過程中硅襯底直接與NH3反應而在硅襯底的表面形成無定型SiN，避免了無定型SiN影響外延生長，保證了外延生長質量。
本發明授權半導體外延結構、半導體器件及其制備方法在權利要求書中公布了：1.一種半導體外延結構，其特征在于，包括： 硅襯底； 設置在所述硅襯底上的富鋁硅層； 設置在所述富鋁硅層上的成核層； 其中，所述富鋁硅層包括重摻雜鋁的硅層，所述重摻雜鋁的硅層位于硅襯底的表面； 其中，所述成核層為III族氮化物，所述富鋁硅層中鋁原子的摻雜濃度大于1E19cm3且小于1E22cm3，且所述富鋁硅層的厚度大于等于200nm并小于500nm。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人湖南三安半導體有限責任公司，其通訊地址為：410000 湖南省長沙市高新開發區長興路399號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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1、本報告根據公開、合法渠道獲得相關數據和信息，力求客觀、公正，但并不保證數據的最終完整性和準確性。
2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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