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龍圖騰網(wǎng)獲悉電子科技大學(xué)申請(qǐng)的專(zhuān)利一種溝槽型SiC MOSFET器件獲國(guó)家發(fā)明授權(quán)專(zhuān)利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專(zhuān)利權(quán)由國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號(hào)為：CN115101582B 。

龍圖騰網(wǎng)通過(guò)國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-09-19發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專(zhuān)利申請(qǐng)?zhí)?專(zhuān)利號(hào)為：202210760471.7，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H10D62/10；該發(fā)明授權(quán)一種溝槽型SiC MOSFET器件是由任敏;周春穎;李曦;梁世琦;李澤宏;張波設(shè)計(jì)研發(fā)完成，并于2022-06-30向國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的專(zhuān)利申請(qǐng)。

本一種溝槽型SiC MOSFET器件在說(shuō)明書(shū)摘要公布了：本發(fā)明涉及一種溝槽型SiCMOSFET器件，屬于功率半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域。本發(fā)明通過(guò)去除溝槽底部的柵氧，使得屏蔽層、漂移區(qū)和襯底之間形成二極管結(jié)構(gòu)，增大了器件反向續(xù)流的能力，同時(shí)提高了器件體二極管抗浪涌能力；其次，通過(guò)在溝槽內(nèi)部引入不同摻雜類(lèi)型的多晶硅，減小了器件的密勒電容，提高了器件的開(kāi)關(guān)速度；另外，不同摻雜類(lèi)型的多晶硅所接電位不同，可以在正、反向?qū)〞r(shí)，分別發(fā)揮控制溝道的作用，且多晶硅二極管在第三象限工作時(shí)也可以發(fā)揮續(xù)流作用，得到正向?qū)ㄌ匦院腕w二極管導(dǎo)通特性的折中。因此，本發(fā)明在保障SiCMOSFET原有的電學(xué)性能基礎(chǔ)上，有效提高了器件的開(kāi)關(guān)速度，大大提升了器件正向和反向的導(dǎo)通性能。

本發(fā)明授權(quán)一種溝槽型SiC MOSFET器件在權(quán)利要求書(shū)中公布了：1.一種溝槽型SiCMOSFET器件，包括金屬化漏極1；位于金屬化漏極1之上的重?fù)诫s第一導(dǎo)電類(lèi)型半導(dǎo)體襯底2；位于所述重?fù)诫s第一導(dǎo)電類(lèi)型半導(dǎo)體襯底2上的輕摻雜第一導(dǎo)電類(lèi)型半導(dǎo)體漂移區(qū)3；所述輕摻雜第一導(dǎo)電類(lèi)型半導(dǎo)體漂移區(qū)3上部還具有溝槽區(qū)13； 所述輕摻雜第一導(dǎo)電類(lèi)型半導(dǎo)體漂移區(qū)3之上具有第二導(dǎo)電類(lèi)型半導(dǎo)體體區(qū)6；位于所述第二導(dǎo)電類(lèi)型半導(dǎo)體體區(qū)6頂部具有緊鄰的重?fù)诫s第一導(dǎo)電類(lèi)型半導(dǎo)體源區(qū)5和重?fù)诫s第二導(dǎo)電類(lèi)型半導(dǎo)體接觸區(qū)4；所述重?fù)诫s第一導(dǎo)電類(lèi)型半導(dǎo)體源區(qū)5和重?fù)诫s第二導(dǎo)電類(lèi)型半導(dǎo)體接觸區(qū)4均以歐姆接觸的形式與金屬化源極14直接接觸；金屬化源極14位于重?fù)诫s第一導(dǎo)電類(lèi)型半導(dǎo)體源區(qū)5和重?fù)诫s第二導(dǎo)電類(lèi)型半導(dǎo)體接觸區(qū)4上方，所述重?fù)诫s第一導(dǎo)電類(lèi)型半導(dǎo)體源區(qū)5和所述第二導(dǎo)電類(lèi)型半導(dǎo)體體區(qū)6的側(cè)面均與所述溝槽區(qū)13的側(cè)壁直接接觸，且所述溝槽區(qū)13的底部超過(guò)第二導(dǎo)電類(lèi)型半導(dǎo)體體區(qū)6的下表面； 所述溝槽區(qū)13的側(cè)壁具有柵介質(zhì)層7；所述溝槽區(qū)13中填充輕摻雜第二導(dǎo)電類(lèi)型多晶硅區(qū)10；所述輕摻雜第二導(dǎo)電類(lèi)型多晶硅區(qū)10上部?jī)蓚?cè)具有重?fù)诫s第一導(dǎo)電類(lèi)型多晶硅柵電極區(qū)9，且所述重?fù)诫s第一導(dǎo)電類(lèi)型多晶硅柵電極區(qū)9的下表面超過(guò)第二導(dǎo)電類(lèi)型半導(dǎo)體體區(qū)6的下表面；所述輕摻雜第二導(dǎo)電類(lèi)型多晶硅區(qū)10下表面具有緊鄰的重?fù)诫s第二導(dǎo)電類(lèi)型多晶硅源電極區(qū)11；所述溝槽區(qū)13底部被重?fù)诫s第二導(dǎo)電類(lèi)型半導(dǎo)體屏蔽層12包裹，且第二導(dǎo)電類(lèi)型半導(dǎo)體屏蔽層12上表面與重?fù)诫s第二導(dǎo)電類(lèi)型多晶硅源電極區(qū)11下表面直接接觸；所述重?fù)诫s第一導(dǎo)電類(lèi)型多晶硅柵電極區(qū)9與柵極電位相連；所述重?fù)诫s第二導(dǎo)電類(lèi)型多晶硅源電極區(qū)11通過(guò)版圖設(shè)計(jì)利用通孔實(shí)現(xiàn)與金屬化源極14的電位連接；所述金屬化源極14之下具有絕緣介質(zhì)層8，實(shí)現(xiàn)金屬化源極14和重?fù)诫s第一導(dǎo)電類(lèi)型多晶硅柵電極區(qū)9的電氣隔離； 其特征在于：在一些垂直于器件表面的剖面上，所述第二導(dǎo)電類(lèi)型半導(dǎo)體體區(qū)6的側(cè)面被所述重?fù)诫s第一導(dǎo)電類(lèi)型多晶硅柵電極區(qū)9完全覆蓋，在另一些垂直于器件表面的剖面上，所述第二導(dǎo)電類(lèi)型半導(dǎo)體體區(qū)6的側(cè)面被所述輕摻雜第二導(dǎo)電類(lèi)型多晶硅區(qū)10完全覆蓋。

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