中國科學院半導體研究所張振寧獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉中國科學院半導體研究所申請的專利半導體激光器獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN115064936B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-19發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202210792442.9，技術領域涉及：H01S5/10；該發明授權半導體激光器是由張振寧;黃永箴;楊躍德;肖金龍設計研發完成，并于2022-07-05向國家知識產權局提交的專利申請。
本半導體激光器在說明書摘要公布了：本發明公開了一種半導體激光器，包括：N面電極；N型襯底，設置在N面電極上；回音壁微腔，設置在N型襯底上，回音壁微腔的橫斷面為八邊形，八邊形包括多個第一弧形邊和至少一個第二弧形邊，第一弧形邊和第二弧形邊的弧弦相等，相鄰的第一弧形邊和第二弧形邊的弧長不相等，使得在回音壁微腔內形成兩組獨立的全反射的四邊形的光路。通過調整回音壁微腔的弧形邊的弧度可以進一步調整這兩組模式的波長間隔與激射強度，在邊模抑制比大于30dB的前提下實現半導體激光器的直接調制帶寬的大幅增加。
本發明授權半導體激光器在權利要求書中公布了：1.一種半導體激光器，包括： N面電極； N型襯底，設置在所述N面電極上； 回音壁微腔，設置在所述N型襯底上，所述回音壁微腔的橫斷面為八邊形，所述八邊形包括多個第一弧形邊和至少一個第二弧形邊，所述第一弧形邊和第二弧形邊的弧弦相等，相鄰的第一弧形邊和第二弧形邊的弧長不相等，使得在所述回音壁微腔內形成兩組獨立的全反射的四邊形的光路； 其中，所述回音壁微腔中部設置有一通孔，所述通孔用于降低所述回音壁微腔對光的限制能力以提高所述半導體激光器的輸出功率。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人中國科學院半導體研究所，其通訊地址為：100083 北京市海淀區清華東路甲35號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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1、本報告根據公開、合法渠道獲得相關數據和信息，力求客觀、公正，但并不保證數據的最終完整性和準確性。
2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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