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龍圖騰網(wǎng)獲悉山東華芯半導體有限公司申請的專利一種SSD的PMR功能優(yōu)化方法獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號為：CN115454351B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-09-19發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為：202211240247.1，技術(shù)領(lǐng)域涉及：G06F3/06；該發(fā)明授權(quán)一種SSD的PMR功能優(yōu)化方法是由吳斌;段好強;劉凱;王璞;喬子龍設(shè)計研發(fā)完成，并于2022-10-11向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。

本一種SSD的PMR功能優(yōu)化方法在說明書摘要公布了：本發(fā)明公開一種SSD的PMR功能優(yōu)化方法，本方法設(shè)計聯(lián)動模塊，上電初始化啟動聯(lián)動模塊后，聯(lián)動模塊將nandflash中保存的數(shù)據(jù)自動恢復到PMR功能對應(yīng)的DDR中，下電時，聯(lián)動模塊將數(shù)據(jù)從DDR保存到預先擦除好的nandflash中；本方法對PMR區(qū)域數(shù)據(jù)分類存儲，將PMR頻繁訪問的數(shù)據(jù)同步更新到MRAM中進行永久存儲，非頻繁訪問的數(shù)據(jù)保存在DDR中，下電時非頻繁訪問的數(shù)據(jù)存儲到nandflash中。本方法從上電恢復和下電保存兩個方面進行了優(yōu)化，加速了PMR區(qū)域的數(shù)據(jù)恢復和保存速度、增強數(shù)據(jù)保存的安全性。

本發(fā)明授權(quán)一種SSD的PMR功能優(yōu)化方法在權(quán)利要求書中公布了：1.一種SSD的PMR功能優(yōu)化方法，其特征在于：本方法設(shè)計聯(lián)動模塊，上電初始化啟動聯(lián)動模塊后，聯(lián)動模塊將nandflash中保存的數(shù)據(jù)自動恢復到PMR功能對應(yīng)的DDR中，下電時，聯(lián)動模塊將數(shù)據(jù)從DDR保存到預先擦除好的nandflash中；本方法對PMR區(qū)域數(shù)據(jù)分類存儲，將PMR頻繁訪問的數(shù)據(jù)同步更新到MRAM中進行永久存儲，非頻繁訪問的數(shù)據(jù)保存在DDR中，下電時非頻繁訪問的數(shù)據(jù)存儲到nandflash中。

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