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龍圖騰網獲悉中國科學院微電子研究所申請的專利一種碳化硅晶片的剝離方法及其剝離裝置獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN115609772B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-19發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202211322468.3，技術領域涉及：B28D5/00；該發明授權一種碳化硅晶片的剝離方法及其剝離裝置是由許子業;侯煜;文志東;張喆;張昆鵬;宋琦;石海燕;李曼;張紫辰設計研發完成，并于2022-10-26向國家知識產權局提交的專利申請。

本一種碳化硅晶片的剝離方法及其剝離裝置在說明書摘要公布了：本發明提供了一種碳化硅晶片的剝離方法及其剝離裝置，該碳化硅晶片的剝離方法通過采用第一激光光束從碳化硅晶錠的側面入射并在設定深度層位置處形成一個加熱的光路的同時，采用第二激光光束聚焦在第一激光光束形成的光路上，并在光路上爆點掃描，能夠利用第一激光光束形成的光路上所具有的逐漸遞減的縱向溫度梯度，誘導每個爆點處的裂紋在光路內沿著與光路平行的方向生長，便于同一切割道上相鄰兩個爆點之間的裂紋快速延伸連接到一起，簡化同一切割道上相鄰爆點裂紋連接到一起的難度。能夠適當加寬相同切割道上不同爆點之間的間距，使相同長度的切割道采用較少的爆點即可完成掃描，提高掃描效率，簡化第一激光光束的設備復雜性，節省加工成本。

本發明授權一種碳化硅晶片的剝離方法及其剝離裝置在權利要求書中公布了：1.一種碳化硅晶片的剝離方法，其特征在于，包括： 步驟一：提供待切割的碳化硅晶錠； 步驟二：采用第一激光光束從所述碳化硅晶錠側面照入，在所述碳化硅晶錠內的設定深度層位置處形成一個加熱的光路，以使所述光路上的碳化硅材料在沿所述光路的傳播方向，具有逐漸遞減的縱向溫度梯度； 步驟三：采用第二激光光束從所述碳化硅晶錠端面入射并聚焦在所述設定深度層位置處的光路上，形成爆點，以對所述光路上的碳化硅材料進行改質； 步驟四：控制所述第二激光光束的焦點沿著所述光路的傳播方向或傳播方向的反方向掃描，以對所述光路其他位置處的碳化硅材料進行爆點改質，形成切割道；且所述縱向溫度梯度能夠誘導每個爆點處的裂紋，在所述光路內沿著與所述光路平行的方向生長； 其中，所述第一激光光束為貝塞爾光束； 所述光路的橫截面上的光強，由所述第一激光光束的中心位置向所述第一激光光束的邊緣位置，呈波浪形波動，以在所述光路的橫截面上形成溫度大小波動的橫向溫度梯度； 且所述橫向溫度梯度能夠誘導每個爆點處產生的裂紋，在所述光路內沿著與所述光路垂直的方向橫向生長。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人中國科學院微電子研究所，其通訊地址為：100029 北京市朝陽區北土城西路3號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。