買專利賣專利找龍圖騰，真高效！ 查專利查商標用IPTOP,全免費！專利年費監控用IP管家,真方便！

龍圖騰網獲悉晶澳(揚州)太陽能科技有限公司申請的專利太陽能電池的制備方法及太陽能電池獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN115863473B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-19發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202211476493.7，技術領域涉及：H10F71/00；該發明授權太陽能電池的制備方法及太陽能電池是由黃卓;陳斌;劉娟設計研發完成，并于2022-11-23向國家知識產權局提交的專利申請。

本太陽能電池的制備方法及太陽能電池在說明書摘要公布了：本申請提供太陽能電池的制備方法及太陽能電池。太陽能電池的制備方法，包括：提供P型硅基底；第一次制絨；在P型硅基底的背面或者背面和正面依次形成隧穿氧化層、N+摻雜多晶硅層及氧化硅保護層，以獲得第一中間電池片；去除氧化硅保護層位于預設N+摻雜區域的部分之外的其他部分，以獲得第二中間電池片；對第二中間電池片堿拋光處理后獲得第三中間電池片；第二次制絨；在第四中間電池片的正面和背面形成鈍化減反層。對第四中間電池片金屬化處理以形成金屬電極，獲得太陽能電池。本申請第一方面提供的太陽能電池同時實現P+摻雜區域和N+摻雜區域最佳鈍化效果，進一步提高太陽能電池效率。

本發明授權太陽能電池的制備方法及太陽能電池在權利要求書中公布了：1.一種太陽能電池的制備方法，其特征在于，包括： 提供P型硅基底，預設P+摻雜區域和預設N+摻雜區域在所述P型硅基底背側交替間隔分布； 第一次制絨，對所述P型硅基底制絨處理，以使所述P型硅基底的正面和背面均形成第一絨面結構； 在所述P型硅基底的背面或者背面和正面依次形成隧穿氧化層、N+摻雜多晶硅層及氧化硅保護層，以獲得第一中間電池片； 去除所述氧化硅保護層位于所述預設N+摻雜區域的部分之外的其他部分，以獲得第二中間電池片； 對所述第二中間電池片堿拋光處理后獲得第三中間電池片，所述第三中間電池片的正面和所述第三中間電池片的背面處于所述預設P+摻雜區域的部分均為光滑表面； 第二次制絨，對所述第三中間電池片制絨處理后獲得第四中間電池片，所述第四中間電池片的正面和所述第四中間電池片的背面處于所述預設P+摻雜區域的部分均形成第二絨面結構，所述第四中間電池片的背面處于所述預設N+摻雜區域的部分仍保留所述第一絨面結構； 在所述第四中間電池片的正面和背面形成鈍化減反層； 對所述第四中間電池片金屬化處理以形成金屬電極，獲得太陽能電池。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人晶澳(揚州)太陽能科技有限公司，其通訊地址為：225000 江蘇省揚州市經濟開發區建華路1號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。