中國科學院重慶綠色智能技術研究院陳利剛獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉中國科學院重慶綠色智能技術研究院申請的專利微納流道器件、制備方法及其用于太赫茲近場檢測裝置獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN116223433B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-19發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202211644076.9，技術領域涉及：G01N21/3586；該發明授權微納流道器件、制備方法及其用于太赫茲近場檢測裝置是由陳利剛;王化斌;楊忠波設計研發完成，并于2022-12-20向國家知識產權局提交的專利申請。
本微納流道器件、制備方法及其用于太赫茲近場檢測裝置在說明書摘要公布了：本發明公開了一種微納流道器件，所述微納流道器件用于太赫茲近場檢測，所述微納流道器件從上之下依次包括：太赫茲近場增強薄膜層，薄膜支撐層，以及基底層。本發明太赫茲近場檢測裝置，用于太赫茲近場檢測，該裝置將太赫茲高分辨技術與微納流道腔體器件結合，實現溶液中目標物在個體水平的探測，為溶液樣品如溶液中單個生物分子、單個細胞等的太赫茲精準探測提供技術支持。
本發明授權微納流道器件、制備方法及其用于太赫茲近場檢測裝置在權利要求書中公布了：1.一種微納流道器件，其特征在于，所述微納流道器件用于太赫茲近場檢測，所述微納流道器件從上至下依次包括： 太赫茲近場增強薄膜層，其材質包括氮化硅膜、金-氮化硅膜或石墨烯-氮化硅膜中的一種； 所述氮化硅膜的厚度為10-30nm； 或所述金-氮化硅膜包括鍍金層和氮化硅層，所述金-氮化硅膜中鍍金層的厚度為2-10nm，氮化硅膜的厚度為10-20nm； 或所述氮化硅-石墨烯復合膜中上層為石墨烯，下層為氮化硅，所述石墨烯-氮化硅膜中上層石墨烯層的層數為1-8層，下層氮化硅的厚度為10-20nm； 薄膜支撐層，其為具有一定厚度的硅制成，所述薄膜支撐層上設有至少一個貫穿的微孔；以及 基底層，其具有一定厚度，中部設有凹槽，所述凹槽用于容納液體樣液，所述基底層設有進液口和出液口，所述凹槽、所述進液口和所述出液口連通，形成微流道； 其中，進行工作的狀態下，樣液置于高分辨太赫茲檢測系統的探針下方，對應薄膜支撐層中部的微孔區域內進行探測，樣液在所述基底層的凹槽內與所述太赫茲近場增強薄膜層接觸； 所述微孔設于所述薄膜支撐層的中部。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人中國科學院重慶綠色智能技術研究院，其通訊地址為：400714 重慶市北碚區方正大道266號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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