湖北九峰山實驗室袁俊獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉湖北九峰山實驗室申請的專利一種多級溝槽增強型功率器件及其制備方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN116053297B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-19發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202310037626.9，技術領域涉及：H10D62/10；該發明授權一種多級溝槽增強型功率器件及其制備方法是由袁俊;徐東;郭飛;王寬;魏強明;黃俊;楊冰;吳暢設計研發完成，并于2023-01-10向國家知識產權局提交的專利申請。
本一種多級溝槽增強型功率器件及其制備方法在說明書摘要公布了：本發明公開了一種多級溝槽增強型功率器件，包括：氧化鎵襯底，位于所述氧化鎵襯底上的氧化鎵外延層，位于所述氧化鎵外延層上方的源極；所述氧化鎵外延層上部設有多級溝槽，所述多級溝槽開口附近的外延層表面與第一級溝槽的側壁和部分底面覆蓋有柵介質層，所述多級溝槽除第一級溝槽外的溝槽的側壁和底部覆蓋有絕緣介質層，所述柵介質層和所述絕緣介質層表面沉積有柵電極，所述柵電極與所述源極之間覆蓋有層間介質層。本發明采用多級溝槽，能夠進一步降低氧化鎵表面的電場強度，提高器件可靠性。
本發明授權一種多級溝槽增強型功率器件及其制備方法在權利要求書中公布了：1.一種多級溝槽增強型功率器件，其特征在于，包括：氧化鎵襯底，位于所述氧化鎵襯底上的氧化鎵外延層，位于所述氧化鎵外延層上方的源極；所述氧化鎵外延層上部設有多級溝槽，所述多級溝槽開口附近的外延層表面與第一級溝槽的側壁和部分底面覆蓋有柵介質層，所述多級溝槽除第一級溝槽外的溝槽的側壁和底部覆蓋有絕緣介質層，所述柵介質層和所述絕緣介質層表面沉積有柵電極，所述柵電極與所述源極之間覆蓋有層間介質層； 所述多級溝槽的所有側壁和底部覆蓋有柵介質層；所述柵介質層位于所述絕緣介質層下方。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人湖北九峰山實驗室，其通訊地址為：430000 湖北省武漢市東湖開發區關東科技工業園華光大道18號19層；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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