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龍圖騰網(wǎng)獲悉瑞薩電子株式會社申請的專利半導(dǎo)體器件以及驅(qū)動半導(dǎo)體器件的方法獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號為：CN111863064B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-09-16發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為：202010201893.1，技術(shù)領(lǐng)域涉及：G11C11/4063；該發(fā)明授權(quán)半導(dǎo)體器件以及驅(qū)動半導(dǎo)體器件的方法是由橫山佳巧;藪內(nèi)誠設(shè)計(jì)研發(fā)完成，并于2020-03-20向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。

本半導(dǎo)體器件以及驅(qū)動半導(dǎo)體器件的方法在說明書摘要公布了：本公開的實(shí)施例涉及半導(dǎo)體器件以及驅(qū)動半導(dǎo)體器件的方法，其目的是為具有大寄生電阻或大負(fù)載容量的布線提供能夠提高在遠(yuǎn)離驅(qū)動器的位置處的布線的電壓的升高或降低速度的技術(shù)。半導(dǎo)體器件包括：第一布線，具有第一部、第二部、在第一部和第二部之間提供的第三部；連接到第三部的多個(gè)存儲器單元；具有柵極和連接到第二部的漏極的場效應(yīng)晶體管以及與第一布線并聯(lián)提供的第二布線。第一布線的第三部包括靠近第一部的第四部、靠近第二部的第五部、設(shè)置在第一部與第四部之間的第六部。多個(gè)存儲器單元包括連接到第四部的第一存儲器單元和連接到第五部的第二存儲器單元。第二布線電連接在第六部與場效應(yīng)晶體管的柵極之間。

本發(fā)明授權(quán)半導(dǎo)體器件以及驅(qū)動半導(dǎo)體器件的方法在權(quán)利要求書中公布了：1.一種半導(dǎo)體器件，包括： 第一布線，包括： 第一部分； 不同于所述第一部分的第二部分；以及 不同于所述第一部分和所述第二部分的第三部分，并且所述第三部分被設(shè)置在所述第一部分和所述第二部分之間； 驅(qū)動器電路，被連接到所述第一部分； 多個(gè)存儲器單元，被連接到所述第三部分； 第二布線，被連接到所述第一部分； 電位改變電路，所述電位改變電路不同于所述驅(qū)動器電路； 其中所述第一布線包括字線； 其中所述驅(qū)動器電路被供應(yīng)有第一電源電位，并且基于所述第一電源電位驅(qū)動所述第一布線和所述第二布線； 其中所述多個(gè)存儲器單元被供應(yīng)有第二電源電位，并且在所述多個(gè)存儲器單元的讀取操作中，所述第一電源電位低于所述第二電源電位；以及其中所述電位改變電路被連接到所述第二布線，并且被配置為被激活以使得基于所驅(qū)動的所述第二布線的電位電平上拉所述字線的所述第二部分。

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