克利公司丹尼爾·詹納·利希滕瓦爾納獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉克利公司申請的專利具有增加的有源面積的晶體管半導體芯片獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN113950737B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-16發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202080043067.7，技術領域涉及：H01L23/482；該發明授權具有增加的有源面積的晶體管半導體芯片是由丹尼爾·詹納·利希滕瓦爾納;愛德華·羅伯特·范·布倫特設計研發完成，并于2020-04-08向國家知識產權局提交的專利申請。
本具有增加的有源面積的晶體管半導體芯片在說明書摘要公布了：晶體管半導體芯片包括漂移層、第一介電層、第一金屬化層、第二介電層、第二金屬化層、第一多個電極以及第二多個電極。第一介電層在漂移層上方。第一金屬化層在第一介電層上方，使得第一金屬化層的至少一部分提供第一接觸墊。第二介電層在第一金屬化層上方。第二金屬化層在第二介電層上方，使得第二金屬化層的至少一部分提供第二接觸墊并且第二金屬化層與第一金屬化層至少部分重疊。晶體管半導體芯片被配置為基于在第二接觸墊處所提供的信號而在第一接觸墊與第三接觸墊之間選擇性地傳導電流。
本發明授權具有增加的有源面積的晶體管半導體芯片在權利要求書中公布了：1.一種晶體管半導體芯片，包括： ●漂移層； ●第一介電層，在所述漂移層上； ●第一金屬化層，在所述第一介電層上，其中，所述第一金屬化層的至少一部分提供第一接觸墊； ·第二介電層，在所述第一金屬化層上； ●柵極金屬化層，在所述第二介電層上，使得所述柵極金屬化層的至少一部分提供柵極接觸墊； ·第一多個電極，電耦合至所述第一金屬化層并且被所述第一介電層覆蓋； ·多個柵電極，電耦合至所述柵極金屬化層，使得所述晶體管半導體芯片被配置為基于在所述柵極接觸墊處所提供的信號而在所述第一接觸墊與第三接觸墊之間選擇性地傳導電流； ·至少一個柵極接觸過孔，延伸通過所述第一介電層和所述第二介電層，以將所述柵極接觸墊電連接至所述多個柵電極； ●邊緣終止區域；以及 ·設備區域，在所述邊緣終止區域內，其中，在所述設備區域內的總無源面積小于所述柵極接觸墊的面積。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人克利公司，其通訊地址為：美國北卡羅來納州；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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1、本報告根據公開、合法渠道獲得相關數據和信息，力求客觀、公正，但并不保證數據的最終完整性和準確性。
2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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