北京北方華創微電子裝備有限公司張海苗獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉北京北方華創微電子裝備有限公司申請的專利晶圓刻蝕方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN113539816B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-16發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202010305870.5，技術領域涉及：H01L21/3065；該發明授權晶圓刻蝕方法是由張海苗;林源為;崔詠琴;唐希文設計研發完成，并于2020-04-17向國家知識產權局提交的專利申請。
本晶圓刻蝕方法在說明書摘要公布了：本發明公開一種晶圓刻蝕方法，包括：預刻蝕步驟，刻蝕覆蓋有圖形化的掩膜層的晶圓，在晶圓的表面形成預設深度的刻蝕槽；氧化刻蝕步驟，對刻蝕槽的底部和側壁表面進行氧化形成氧化層，刻蝕氧化層，獲得光滑的沉積表面；沉積步驟，在光滑的沉積表面沉積聚合物層；刻蝕步驟，對刻蝕槽的底部和側壁進行刻蝕；重復沉積步驟和刻蝕步驟直至形成目標深度的刻蝕槽。沉積步驟在刻蝕槽的底部和側壁形成具有平滑界面的氧化層，刻蝕氧化層，獲得光滑的沉積表面，有利于后續沉積得到均勻而連續的聚合物層，改善刻蝕工藝的均勻性，刻蝕氧化層還可以擴大刻蝕槽的深寬比，有利于反應物和副產物進出刻蝕槽的深硅結構。
本發明授權晶圓刻蝕方法在權利要求書中公布了：1.一種晶圓刻蝕方法，其特征在于，包括： 預刻蝕步驟，刻蝕覆蓋有圖形化的掩膜層的晶圓，在所述晶圓的表面形成預設深度的刻蝕槽； 氧化刻蝕步驟，對所述刻蝕槽的底部和側壁表面進行氧化形成氧化層，刻蝕所述氧化層，獲得光滑的沉積表面； 沉積步驟，在所述光滑的沉積表面沉積聚合物層； 刻蝕步驟，對所述刻蝕槽的底部和側壁進行刻蝕； 重復所述沉積步驟和所述刻蝕步驟直至形成目標深度的刻蝕槽； 所述沉積步驟還包括： 計算所述晶圓邊緣預設位置處刻蝕槽的內壁和外壁沉積聚合物層的厚度差異導致的不均勻度，分別獲得氣流場和電磁場對刻蝕的影響因子；根據所述影響因子選擇對電磁場和或氣流場進行優化。
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2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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