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龍圖騰網獲悉索尼半導體解決方案公司申請的專利固態攝像元件和固態攝像元件的制造方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN113841229B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-16發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202080036476.4，技術領域涉及：H10F39/00；該發明授權固態攝像元件和固態攝像元件的制造方法是由舍川進設計研發完成，并于2020-05-19向國家知識產權局提交的專利申請。

本固態攝像元件和固態攝像元件的制造方法在說明書摘要公布了：本固態攝像元件設置有：光電二極管；包括浮動擴散部的半導體基板；電容器，具有布置在與所述光電二極管的所述光入射表面相反的表面上的PD側電極，和隔著介電膜面向所述PD側電極的反PD側電極；放大晶體管；用于連接所述浮動擴散部和所述放大晶體管的FD側配線電極。所述PD側電極的至少一部分和所述FD側配線電極以沿所述半導體基板的厚度方向延伸的形狀形成在所述半導體基板中。內部形成有所述PD側電極的至少一部分的第一接觸孔的一端和內部形成有所述FD側配線電極的第二接觸孔的一端位于所述半導體基板的與所述光電二極管一側相反的表面上。

本發明授權固態攝像元件和固態攝像元件的制造方法在權利要求書中公布了：1.固態攝像元件，所述固態攝像元件包括： 半導體基板，所述半導體基板包括光電二極管和浮動擴散部，所述光電二極管被構造用于對入射的光進行光電轉換，并且累積在所述光電二極管中的信號電荷被傳輸至所述浮動擴散部，其中，所述半導體基板包括： 第一半導體基板，所述第一半導體基板中設置有包括所述光電二極管和所述浮動擴散部的像素電路，以及 第二半導體基板，所述第二半導體基板層疊在所述第一半導體基板的與所述光電二極管一側相反的一側的表面上； 電容器，所述電容器包括： 第一電容器部，所述第一電容器部形成在預先限定在所述第一半導體基板中的第一電容器區域中，以及 第二電容器部，所述第二電容器部設置在所述第一電容器部的與所述光電二極管一側相反的一側的表面上并且設置在所述第二半導體基板中， 其中，所述第一電容器部包括設置在所述第一電容器區域中的所述光電二極管的與所述光入射的表面相反的表面上的第一電極，以及隔著第一介電膜面對著所述第一電極的第二電極，所述第一電極和所述第二電極將所述第一介電膜夾在中間， 所述第二電容器部包括： 柱狀的第三電極，所述第三電極形成在第一接觸孔內，所述 第三電極的一端連接到所述第二電極， 第二介電膜，所述第二介電膜覆蓋所述第三電極的除了所述 第三電極與所述第二電極之間的連接部分之外的部分，以及 第四電極，所述第四電極隔著所述第二介電膜面對著所述第三電極，所述第二介電膜被夾在所述第三電極與所述第四電極之間； 放大晶體管，所述放大晶體管讀取作為電信號而被傳輸到所述浮動擴散部的所述信號電荷并放大所述信號電荷；以及 FD側配線電極，所述FD側配線電極連接所述浮動擴散部和所述放大晶體管，其中， 所述第三電極的至少一部分和所述FD側配線電極以沿所述第二半導體基板的厚度方向延伸的形狀形成在所述第二半導體基板中，并且 內部形成有所述第三電極的至少一部分的所述第一接觸孔的一端和內部形成有所述FD側配線電極的第二接觸孔的一端均位于所述第二半導體基板的與所述光電二極管一側相反的一側的表面上。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人索尼半導體解決方案公司，其通訊地址為：日本神奈川縣；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。