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龍圖騰網獲悉中芯國際集成電路制造(上海)有限公司;中芯國際集成電路制造(北京)有限公司申請的專利半導體結構及其形成方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN113725290B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-16發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202010454921.0，技術領域涉及：H10D10/40；該發明授權半導體結構及其形成方法是由楊廣立設計研發完成，并于2020-05-26向國家知識產權局提交的專利申請。

本半導體結構及其形成方法在說明書摘要公布了：一種半導體結構及其形成方法，包括：襯底；位于襯底上的集電區；位于集電區上的基區，基區的摻雜類型與集電區的摻雜類型相反；位于基區內的過渡區，過渡區的摻雜類型與基區的摻雜類型相反，且過渡區的底部高于基區的底部，過渡區的頂部低于基區的頂部。由于過渡區可以作為集電區的延伸，進而使得有效的基區變窄，從而增大電流放大系數β；在進行集電區與發射區之間的擊穿電壓BVceo檢測時，位于過渡區底部的基區會幫助過渡區耗盡，從而使得集電區與發射區之間的擊穿電壓增大。另外，集電區不能夠被過渡區簡單的進行取代，這是由于集電區將位于過渡區頂部和底部的基區進行包圍，有效的隔絕電流直接流向襯底，避免了噪聲的產生。

本發明授權半導體結構及其形成方法在權利要求書中公布了：1.一種半導體結構，其特征在于，包括： 襯底； 位于所述襯底上的集電區； 位于所述集電區上的基區，所述基區的摻雜類型與所述集電區的摻雜類型相反，且所述基區的底部高于所述集電區的底部，所述基區采用對所述集電區進行離子注入形成； 位于所述基區內的過渡區，所述過渡區的摻雜類型與所述基區的摻雜類型相反，且所述過渡區的底部高于所述基區的底部，所述過渡區的頂部低于所述基區的頂部； 位于所述基區上的發射區，所述發射區的摻雜類型與基區的摻雜類型相反，且所述發射區的底部高于所述基區的底部，所述發射區采用對所述基區進行離子注入形成；其中， 所述集電區將位于所述過渡區頂部和底部的所述基區進行包圍，隔絕電流直接由所述基區流向所述襯底； 所述過渡區的頂部與所述基區頂部之間的距離小于所述過渡區下方的所述集電區頂部和所述基區頂部之間的距離，在所述發射區的多數載流子注入到所述基區后，所述發射區的多數載流子渡越所述基區到達過渡區的過程中，減少了所述發射區的多數載流子與所述基區中的多數載流子的復合耗損，提升了所述發射區的多數載流子到達所述過渡區的數量，并且在通電時所述過渡區與所述集電區之間形成電路導通，到達所述過渡區的發射區的多數載流子直接被所述集電區收集形成集電區電流，以此增大電流放大系數β。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人中芯國際集成電路制造(上海)有限公司;中芯國際集成電路制造(北京)有限公司，其通訊地址為：201203 上海市浦東新區張江路18號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。