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龍圖騰網獲悉北京寰宇晶科科技有限公司申請的專利一種金剛石電極及其制備方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN119977082B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-16發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202510133440.2，技術領域涉及：C02F1/461；該發明授權一種金剛石電極及其制備方法是由黑立富;宋建華設計研發完成，并于2025-02-06向國家知識產權局提交的專利申請。

本一種金剛石電極及其制備方法在說明書摘要公布了：本申請公開了一種金剛石電極及其制備方法，上述金剛石電極包括圍籃和導電金剛石顆粒，圍籃上設有孔洞，構成網狀圍籃，孔洞的孔徑小于導電金剛石顆粒的粒徑；導電金剛石顆粒放置在圍籃內。上述金剛石電極的制備方法包括制備導電金剛石顆粒；制備圍籃；將導電金剛石顆粒放置在圍籃內，圍籃對導電金剛石顆粒堆積的形狀進行限定，制得金剛石電極。本申請的優點在于，本申請提供的金剛石電極具有較大的比表面積，其內部能夠被拆卸后用于清理，清理完成后能夠通過安裝實現重新使用且性能不會受到損壞。

本發明授權一種金剛石電極及其制備方法在權利要求書中公布了：1.一種金剛石電極，其特征在于，包括圍籃和導電金剛石顆粒，所述圍籃上設有孔洞，構成網狀圍籃，所述孔洞的孔徑小于所述導電金剛石顆粒的粒徑；所述導電金剛石顆粒放置在所述圍籃內，所述導電金剛石顆粒包括異質材料襯底顆粒和金剛石襯底顆粒中的至少一種，所述異質材料襯底顆粒和所述金剛石襯底顆粒的表面均沉積有摻雜金剛石涂層，所述摻雜金剛石涂層包括第一涂層和第二涂層，所述第一涂層為微米級摻雜金剛石晶粒的涂層Ⅱ，所述第二涂層為納米級摻雜金剛石晶粒的涂層Ⅱ，所述第二涂層沉積在所述第一涂層之上；所述第一涂層的表面具有微蝕坑Ⅱ，所述第二涂層為多孔結構Ⅱ；所述圍籃的電阻率ρ圍籃和所述導電金剛石顆粒的電阻率ρ導電金剛石顆粒滿足如下關系式：ρ圍籃≥ρ導電金剛石顆粒；使用直流電弧等離子體噴射化學氣相沉積法在所述異質材料襯底顆粒或所述金剛石襯底顆粒的表面沉積所述摻雜金剛石涂層，包括如下步驟： A1、在沉積氣氛中：氫氣流量為6～10SLM，氬氣流量為2.5～6SLM，甲烷流量為CH4H2＝1～2％，形成CH4H2Ar沉積氣氛；在所述CH4H2Ar沉積氣氛中引入B，B摻雜量為BC＝3000～15000ppm；沉積溫度為780～950℃，沉積壓力為2.5～4.5kPa； A2、暫停甲烷的通入和B的引入，形成H2Ar刻蝕氣氛；在所述H2Ar刻蝕氣氛中：氫氣流量為6～10SLM，氬氣流量為2.5～5SLM；刻蝕溫度為750～1050℃，刻蝕壓力為2.8～4.5kPa，刻蝕時間為5～30min； A3、繼續通入甲烷并引入B，形成CH4H2Ar沉積氣氛；在所述CH4H2Ar沉積氣氛中，氫氣流量為7～9SLM，氬氣流量為2.5～5SLM，甲烷流量為CH4H2＝4～8％，B摻雜量為BC＝3000～12000ppm；沉積溫度為700～820℃，沉積壓力為2.5～4.5kPa，沉積時間為5～15min； A4、暫停甲烷的通入和B的引入，形成H2Ar刻蝕氣氛，進行氫等離子體刻蝕，刻蝕時長為沉積時間的14～13；返回所述步驟A3中進行沉積與刻蝕的交替進行； 此時，沉積得到所述摻雜金剛石涂層，所述摻雜金剛石涂層包括第一涂層和第二涂層，所述第一涂層為微米級摻雜金剛石晶粒的涂層Ⅱ，所述第二涂層為納米級摻雜金剛石晶粒的涂層Ⅱ，所述第二涂層沉積在所述第一涂層之上；所述第一涂層的表面具有微蝕坑Ⅱ，所述第二涂層為多孔結構Ⅱ。

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