西安交通大學李早陽獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉西安交通大學申請的專利一種石墨坩堝和碳化硅單晶生長裝置獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN120138814B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-16發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202510402356.6，技術領域涉及：C30B35/00；該發明授權一種石墨坩堝和碳化硅單晶生長裝置是由李早陽;楊垚;高俊浩;祁沖沖;劉立軍設計研發完成，并于2025-04-01向國家知識產權局提交的專利申請。
本一種石墨坩堝和碳化硅單晶生長裝置在說明書摘要公布了：本申請公開了一種石墨坩堝和碳化硅單晶生長裝置，涉及半導體技術領域。石墨坩堝包括坩堝本體，坩堝本體設有容納腔，容納腔用于容納硅料，容納腔具有沿第一方向相對的腔口和腔底，腔底朝向容納腔內的一側設有第一凹槽，第一凹槽用于匯集熔融硅料中的多晶顆粒。這樣在使用本申請的石墨坩堝生成碳化硅單晶時，設置在容納腔腔底的第一凹槽能夠對流經的熔融硅料進行擾動，從而形成局部渦旋流動，進而能夠匯集熔融硅料中的多晶顆粒，使得多晶顆粒更多地匯集在容納腔底部，減少多晶顆粒流動至碳化硅單晶的生長界面，進而降低多晶顆粒對碳化硅單晶生成的影響，從而提高碳化硅單晶生成的質量。
本發明授權一種石墨坩堝和碳化硅單晶生長裝置在權利要求書中公布了：1.一種石墨坩堝，其特征在于，包括：坩堝本體1，所述坩堝本體1設有容納腔10，所述容納腔10用于容納硅料，所述容納腔10具有沿第一方向X相對的腔口101和腔底102，所述腔底102朝向所述容納腔10內的一側設有第一凹槽103，所述第一凹槽103用于匯集熔融硅料2中的多晶顆粒； 沿所述容納腔10的徑向，所述第一凹槽103的橫截面積為S1，所述容納腔10的橫截面積為S2，滿足：0.12≤S1S2≤0.18。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人西安交通大學，其通訊地址為：710049 陜西省西安市咸寧西路28號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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1、本報告根據公開、合法渠道獲得相關數據和信息，力求客觀、公正，但并不保證數據的最終完整性和準確性。
2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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