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龍圖騰網(wǎng)獲悉西安華芯智造技術(shù)有限公司申請的專利一種半導(dǎo)體二極管的雪崩耐量測試方法及系統(tǒng)獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號為：CN120233203B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-09-16發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為：202510462466.1，技術(shù)領(lǐng)域涉及：G01R31/26；該發(fā)明授權(quán)一種半導(dǎo)體二極管的雪崩耐量測試方法及系統(tǒng)是由單悅設(shè)計研發(fā)完成，并于2025-04-14向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。

本一種半導(dǎo)體二極管的雪崩耐量測試方法及系統(tǒng)在說明書摘要公布了：本發(fā)明涉及半導(dǎo)體測試技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種半導(dǎo)體二極管的雪崩耐量測試方法及系統(tǒng)。該方法包括：在尖峰電壓刺激并恢復(fù)到穩(wěn)定狀態(tài)的過程中，獲取半導(dǎo)體二極管的熱成像圖像，確定局部溫度的峰值區(qū)域；根據(jù)溫度變化以及峰值區(qū)域的面積，確定散熱不足性指標(biāo)；結(jié)合散熱不足性指標(biāo)和所有峰值區(qū)域的距離，確定熱成像圖像的局部過熱因子；根據(jù)時序上所有熱成像圖像的局部過熱因子的數(shù)值變化，確定二極管局部過熱現(xiàn)象的消散速率；結(jié)合局部過熱因子和消散速率確定熱擊穿可能性；根據(jù)二極管在不同尖峰電壓的所有熱擊穿可能性的數(shù)值變化，確定雪崩耐量。本發(fā)明能夠根據(jù)溫度變化進(jìn)行雪崩耐量的具體分析，使得雪崩耐量的精確性更高。

本發(fā)明授權(quán)一種半導(dǎo)體二極管的雪崩耐量測試方法及系統(tǒng)在權(quán)利要求書中公布了：1.一種半導(dǎo)體二極管的雪崩耐量測試方法，其特征在于，所述方法包括： 在尖峰電壓刺激并恢復(fù)到穩(wěn)定狀態(tài)的過程中，周期性獲取半導(dǎo)體二極管的熱成像圖像，確定二極管在熱成像圖像上局部溫度的峰值區(qū)域； 根據(jù)所有峰值區(qū)域與相鄰區(qū)域的溫度變化，以及峰值區(qū)域的面積，確定散熱不足性指標(biāo)；結(jié)合散熱不足性指標(biāo)和所有峰值區(qū)域的距離，確定熱成像圖像的局部過熱因子； 根據(jù)時序上所有熱成像圖像的局部過熱因子的數(shù)值變化，確定二極管局部過熱現(xiàn)象的消散速率；結(jié)合所有局部過熱因子的最大值和消散速率，確定二極管在尖峰電壓下的熱擊穿可能性； 獲取二極管在不同尖峰電壓下的熱擊穿可能性，根據(jù)二極管在不同尖峰電壓的所有熱擊穿可能性的數(shù)值變化，進(jìn)行雪崩耐量分析，確定二極管的雪崩耐量。

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