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龍圖騰網(wǎng)獲悉合肥晶合集成電路股份有限公司申請的專利靜電放電保護電路、靜電放電的保護方法獲國家發(fā)明授權專利權，本發(fā)明授權專利權由國家知識產(chǎn)權局授予，授權公告號為：CN120150084B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權局官網(wǎng)在2025-09-16發(fā)布的發(fā)明授權授權公告中獲悉：該發(fā)明授權的專利申請?zhí)?專利號為：202510523725.7，技術領域涉及：H02H9/04；該發(fā)明授權靜電放電保護電路、靜電放電的保護方法是由朱駿;鄭曉;付凱豪;陳東;王曉娟設計研發(fā)完成，并于2025-04-24向國家知識產(chǎn)權局提交的專利申請。

本靜電放電保護電路、靜電放電的保護方法在說明書摘要公布了：本申請?zhí)峁┝艘环N靜電放電保護電路、靜電放電的保護方法，靜電放電保護電路包括：電流泄放模塊；電流泄放模塊包括連接在電源與地之間的第一NMOS；其中，第一NMOS用于在導通狀態(tài)下對靜電放電脈沖進行電流泄放；驅(qū)動模塊；驅(qū)動模塊用于在產(chǎn)生靜電放電的情況下，提供第一NMOS導通所需的柵極電壓；驅(qū)動模塊包括與電源相連接的第一PMOS和與第一PMOS相串聯(lián)的第二PMOS；第二PMOS的漏極與第一NMOS的柵極相連接；其中，第一NMOS的尺寸大于第一PMOS或第二PMOS的尺寸；上拉模塊；上拉模塊連接在電源與第一NMOS的柵極之間，以在第一NMOS進行電流泄放的過程中，拉高第二PMOS的漏極的電位。如此，能夠有效降低第二PMOS發(fā)生柵漏擊穿的風險，提升靜電放電保護電路的可靠性。

本發(fā)明授權靜電放電保護電路、靜電放電的保護方法在權利要求書中公布了：1.一種靜電放電保護電路，其特征在于，包括： 電流泄放模塊；所述電流泄放模塊包括連接在電源與地之間的第一NMOS；其中，所述第一NMOS用于在導通狀態(tài)下對靜電放電脈沖進行電流泄放； 驅(qū)動模塊；所述驅(qū)動模塊用于在產(chǎn)生靜電放電的情況下，提供所述第一NMOS導通所需的柵極電壓；所述驅(qū)動模塊包括與電源相連接的第一PMOS和與所述第一PMOS相串聯(lián)的第二PMOS；所述第二PMOS的漏極與所述第一NMOS的柵極相連接；其中，所述第一NMOS的尺寸大于所述第一PMOS或所述第二PMOS的尺寸； 上拉模塊；所述上拉模塊連接在電源與所述第一NMOS的柵極之間，以在所述第一NMOS進行電流泄放的過程中，拉高所述第二PMOS的漏極的電位；所述上拉模塊包括第三PMOS；所述第三PMOS的源極連接電源，漏極連接所述第一NMOS的柵極；其中，所述第三PMOS的柵極與所述第二PMOS的源極連接。

如需購買、轉(zhuǎn)讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯(lián)系本專利的申請人或?qū)＠麢嗳?a target="_blank" rel="noopener noreferrer nofollow" href="https://iptop.www.hzsmkbearing.com.cn/list?keyword=%E5%90%88%E8%82%A5%E6%99%B6%E5%90%88%E9%9B%86%E6%88%90%E7%94%B5%E8%B7%AF%E8%82%A1%E4%BB%BD%E6%9C%89%E9%99%90%E5%85%AC%E5%8F%B8&temp=1">合肥晶合集成電路股份有限公司，其通訊地址為：230012 安徽省合肥市新站區(qū)合肥綜合保稅區(qū)內(nèi)西淝河路88號；或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服，聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。