深圳平湖實驗室胡浩林獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉深圳平湖實驗室申請的專利SiC外延片及其制備方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN120184006B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-16發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202510644477.1，技術領域涉及：H01L21/02；該發明授權SiC外延片及其制備方法是由胡浩林;房育濤;陳剛;崔新春;萬玉喜設計研發完成，并于2025-05-19向國家知識產權局提交的專利申請。
本SiC外延片及其制備方法在說明書摘要公布了：本公開提供了一種SiC外延片及其制備方法，涉及半導體芯片技術領域，旨在降低SiC外延片的缺陷密度，該SiC外延片包括：SiC襯底和設于SiC襯底一側的外延層。外延層包括：相對設置的C面和Si面，C面和Si面中的任一者靠近SiC襯底，外延層的厚度范圍為50μm~500μm，其中，外延層的缺陷密度范圍為0.02cm2~1cm2。
本發明授權SiC外延片及其制備方法在權利要求書中公布了：1.一種SiC外延片的制備方法，其特征在于，包括： 第一外延，在第一SiC襯底的一側形成外延子層； 第一鍵合，在所述外延子層遠離所述第一SiC襯底的一側鍵合第二SiC襯底； 第一剝離，剝離所述第一SiC襯底； 第一循環，重復所述第一外延，得到第二個連接第一SiC襯底的外延子層； 第二鍵合，將所述第二個連接第一SiC襯底的外延子層與連接有所述第二SiC襯底的外延子層鍵合，得到第一鍵合外延片； 第二剝離，剝離所述第一鍵合外延片中的第二SiC襯底和第一SiC襯底中的一者，得到初始SiC外延片；其中，剝離所述第一鍵合外延片中的第二SiC襯底得到的初始SiC外延片為Si面外延的初始SiC外延片；剝離所述第一鍵合外延片中的第一SiC襯底得到的初始SiC外延片為C面外延的初始SiC外延片； 熱處理或激光處理，在惰性氣體條件下，采用溫度范圍為1400℃~2000℃的熱處理或功率范圍為104Wcm2~106Wcm2的激光處理使得所述初始SiC外延片重結晶，得到所述SiC外延片。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人深圳平湖實驗室，其通訊地址為：518116 廣東省深圳市龍崗區平湖街道中科億方智匯產業園12棟；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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1、本報告根據公開、合法渠道獲得相關數據和信息，力求客觀、公正，但并不保證數據的最終完整性和準確性。
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