晶芯成(北京)科技有限公司;合肥晶合集成電路股份有限公司陳維邦獲國家專利權(quán)
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龍圖騰網(wǎng)獲悉晶芯成(北京)科技有限公司;合肥晶合集成電路股份有限公司申請的專利一種圖像傳感器及其制作方法獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán),本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予,授權(quán)公告號為:CN120264891B 。
龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-09-16發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉:該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為:202510704993.9,技術(shù)領域涉及:H10F39/18;該發(fā)明授權(quán)一種圖像傳感器及其制作方法是由陳維邦設計研發(fā)完成,并于2025-05-29向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。
本一種圖像傳感器及其制作方法在說明書摘要公布了:本發(fā)明公開了一種圖像傳感器及其制作方法,涉及半導體技術(shù)領域,其中制作方法包括:提供基板,基板包括襯底以及位于襯底內(nèi)的多個第一隔離結(jié)構(gòu),多個第一隔離結(jié)構(gòu)間隔排列,在襯底上形成第一預設厚度的第一隔離層,并對第一隔離層進行刻蝕形成多個隔離槽,隔離槽底部保留有第二預設厚度的第一隔離層,隔離槽之間的第一隔離層在襯底上的正投影與第一隔離結(jié)構(gòu)在襯底上的正投影重疊,在隔離槽內(nèi)形成光電功能層,以使光電功能層形成光電二極管,從而不需要采用高能量的離子注入方式來形成光電二極管,進而可以避免襯底表面損傷及其帶來的光電二極管之間串擾的問題。
本發(fā)明授權(quán)一種圖像傳感器及其制作方法在權(quán)利要求書中公布了:1.一種圖像傳感器的制作方法,其特征在于,包括: 提供基板,所述基板包括襯底以及位于所述襯底內(nèi)的多個第一隔離結(jié)構(gòu);所述多個第一隔離結(jié)構(gòu)間隔排列; 在所述襯底上形成第一預設厚度的第一隔離層,并對所述第一隔離層進行刻蝕形成多個隔離槽;所述隔離槽底部保留有第二預設厚度的第一隔離層;所述隔離槽之間的第一隔離層在所述襯底上的正投影與所述第一隔離結(jié)構(gòu)在所述襯底上的正投影重疊; 在所述隔離槽內(nèi)形成光電功能層,以使所述光電功能層形成光電二極管;所述隔離槽底部的第一隔離層用于隔離所述光電功能層與所述襯底;所述隔離槽之間的第一隔離層用于隔離相鄰的所述隔離槽內(nèi)的光電功能層。
如需購買、轉(zhuǎn)讓、實施、許可或投資類似專利技術(shù),可聯(lián)系本專利的申請人或?qū)@麢?quán)人晶芯成(北京)科技有限公司;合肥晶合集成電路股份有限公司,其通訊地址為:100176 北京市大興區(qū)北京經(jīng)濟技術(shù)開發(fā)區(qū)科創(chuàng)十三街29號院一區(qū)2號樓13層1302-C54;或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服,聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。
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