晶芯成(北京)科技有限公司;合肥晶合集成電路股份有限公司朱瑤獲國家專利權
買專利賣專利找龍圖騰，真高效！ 查專利查商標用IPTOP,全免費！專利年費監控用IP管家,真方便！
龍圖騰網獲悉晶芯成(北京)科技有限公司;合肥晶合集成電路股份有限公司申請的專利一種淺溝槽隔離結構及其制備方法和半導體器件獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN120237090B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-16發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202510713130.8，技術領域涉及：H01L21/762；該發明授權一種淺溝槽隔離結構及其制備方法和半導體器件是由朱瑤設計研發完成，并于2025-05-30向國家知識產權局提交的專利申請。
本一種淺溝槽隔離結構及其制備方法和半導體器件在說明書摘要公布了：本申請公開了一種淺溝槽隔離結構及其制備方法和半導體器件，涉及半導體技術領域，其中制備方法包括：提供半導體襯底，該半導體襯底包括器件密集區域和器件稀疏區域，在半導體襯底上形成犧牲層，并對器件稀疏區域的犧牲層進行改性處理，對犧牲層及其底部的半導體襯底進行刻蝕形成溝槽，并使溝槽周邊至少剩余改性后的犧牲層，以使剩余的犧牲層形成墊層，在半導體襯底上形成隔離層，使隔離層填充溝槽并覆蓋溝槽周邊的墊層，對隔離層以及墊層進行研磨，以使溝槽形成具有平整的表面的淺溝槽隔離結構，從而可以消除淺溝槽隔離結構表面的凹陷。
本發明授權一種淺溝槽隔離結構及其制備方法和半導體器件在權利要求書中公布了：1.一種淺溝槽隔離結構的制備方法，其特征在于，包括： 提供半導體襯底，所述半導體襯底包括器件密集區域和器件稀疏區域； 在所述半導體襯底上形成犧牲層，并對所述器件稀疏區域的犧牲層進行改性處理； 對所述犧牲層及其底部的半導體襯底進行刻蝕形成溝槽，并使所述溝槽周邊至少剩余改性后的犧牲層，以使剩余的犧牲層形成墊層； 在所述半導體襯底上形成隔離層，使所述隔離層填充所述溝槽并覆蓋所述溝槽周邊的墊層； 對所述隔離層以及所述墊層進行研磨，以使所述溝槽形成具有平整的表面的淺溝槽隔離結構； 其中，所述墊層僅包括所述溝槽周邊剩余的改性后的犧牲層；或者，所述墊層包括所述溝槽周邊剩余的未改性的犧牲層和剩余的改性后的犧牲層，且所述剩余的未改性的犧牲層的厚度小于所述剩余的改性后的犧牲層的厚度。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人晶芯成(北京)科技有限公司;合肥晶合集成電路股份有限公司，其通訊地址為：100176 北京市大興區北京經濟技術開發區科創十三街29號院一區2號樓13層1302-C54；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
以上內容由AI智能生成
免責聲明
1、本報告根據公開、合法渠道獲得相關數據和信息，力求客觀、公正，但并不保證數據的最終完整性和準確性。
2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
1、本報告根據公開、合法渠道獲得相關數據和信息，力求客觀、公正，但并不保證數據的最終完整性和準確性。
2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
開放平臺
擔保交易
惠及多方
會員特惠
專屬平臺
適合多方
數據共享
功能齊全
皖公網安備 34010402703815號