四川遂寧市利普芯微電子有限公司徐銀森獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉四川遂寧市利普芯微電子有限公司申請的專利一種多芯片封裝結構和功率器件獲國家發明授權專利權,本發明授權專利權由國家知識產權局授予,授權公告號為:CN120280429B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-16發布的發明授權授權公告中獲悉:該發明授權的專利申請號/專利號為:202510764768.4,技術領域涉及:H01L23/498;該發明授權一種多芯片封裝結構和功率器件是由徐銀森;李春江;全巧輝;黃海霞設計研發完成,并于2025-06-10向國家知識產權局提交的專利申請。
本一種多芯片封裝結構和功率器件在說明書摘要公布了:本發明公開了一種多芯片封裝結構和功率器件,涉及功率半導體器件領域,該封裝結構包括第一DBC基板和位于其上的多個第二DBC基板,第二DBC基板具有上水平段、下水平段及連接二者的豎直段。多個第二DBC基板從左往右依次排列,相鄰兩個第二DBC基板中,一個的下水平段上表面與芯片下表面錫焊固定,另一個的上水平段下表面與該芯片上表面錫焊固定。最左端第二DBC基板的上水平段上表面與功率器件第一電源引出端連接,相鄰第二DBC基板的上水平段上表面相連形成導電路徑;第一DBC基板上表面與功率器件第二電源引出端連接,各第二DBC基板下水平段下表面均與第一DBC基板上表面錫焊固定。本發明的封裝可靠性高,適用于高溫下工作。
本發明授權一種多芯片封裝結構和功率器件在權利要求書中公布了:1.一種多芯片封裝結構,其特征在于,應用于功率器件,包括: 第一DBC基板和位于所述第一DBC基板之上的多個第二DBC基板; 所述第二DBC基板包括上水平段、下水平段以及連接于上水平段右端與下水平段左端的豎直段; 所述多個第二DBC基板在所述第一DBC基板上從左往右依次排列,相鄰兩個第二DBC基板中,其中一個第二DBC基板的下水平段的上表面用于與芯片的下表面通過錫焊固定,另一個第二DBC基板的上水平段的下表面用于與該芯片的上表面通過錫焊固定; 其中,位于所述第一DBC基板最左端的第二DBC基板的上水平段的上表面用于與所述功率器件的第一電源引出端連接,相鄰第二DBC基板的上水平段的上表面相連形成導電路徑;所述第一DBC基板的上表面用于與所述功率器件的第二電源引出端連接,各個第二DBC基板的下水平段的下表面均與所述第一DBC基板的上表面通過錫焊固定; 所述第一DBC基板和所述第二DBC基板均包括自下而上依次排列的第一金屬層、絕緣層和第二金屬層,其中,所述絕緣層用于將所述第一金屬層和所述第二金屬層隔離。
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