深圳平湖實驗室張榮軍獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉深圳平湖實驗室申請的專利半導體器件及其制備方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN120343944B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-16發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202510791434.6，技術領域涉及：H10D30/47；該發明授權半導體器件及其制備方法是由張榮軍;張道華;李海洋;范夢綺;王曉萍;萬玉喜設計研發完成，并于2025-06-13向國家知識產權局提交的專利申請。
本半導體器件及其制備方法在說明書摘要公布了：本公開提供了一種半導體器件及其制備方法，涉及半導體芯片技術領域，旨在解決半導體器件在柵極和勢壘層之間摻入較多的Mg可能會影響半導體器件的性能問題；所述半導體結構包括：襯底、溝道層和勢壘層、第一功能層、第一極、第二極和柵極；襯底、溝道層和勢壘層依次層疊設置；第一功能層設于勢壘層遠離溝道層的一側；柵極位于第一極和第二極之間的，且柵極位于第一功能層遠離襯底的一側；第一極和第二極位于溝道層遠離襯底的一側；其中，第一功能層的材料包括：AlGaN；第一功能層包括：第一子部，沿第一方向，在第一子部遠離襯底的部分中Al原子的含量，小于靠近襯底的部分中Al原子的含量，第一方向為垂直襯底的方向。
本發明授權半導體器件及其制備方法在權利要求書中公布了：1.一種半導體器件，其特征在于，包括：依次層疊設置的襯底、溝道層和勢壘層；以及， 第一功能層，設于所述勢壘層遠離所述溝道層的一側； 第一極、第二極及位于所述第一極和所述第二極之間的柵極，所述柵極位于所述第一功能層遠離所述襯底的一側，所述第一極和所述第二極位于所述勢壘層遠離所述襯底的一側； 其中，所述第一功能層的材料包括：AlGaN；所述第一功能層包括：第一子部，沿第一方向，在所述第一子部遠離所述襯底的部分中Al原子的含量，小于靠近所述襯底的部分中Al原子的含量，所述第一方向為垂直所述襯底的方向；所述第一功能層還包括：第二子部，沿所述第一方向，所述第二子部遠離所述襯底的部分中Al原子的含量，大于靠近所述襯底的部分中Al原子的含量。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人深圳平湖實驗室，其通訊地址為：518116 廣東省深圳市龍崗區平湖街道中科億方智匯產業園12棟；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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