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龍圖騰網獲悉深圳佰維存儲科技股份有限公司申請的專利一種數據重讀方法、存儲器及存儲介質獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN120315652B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-16發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202510796201.5，技術領域涉及：G06F3/06；該發明授權一種數據重讀方法、存儲器及存儲介質是由王燦;孫成思;何瀚;陳城銘設計研發完成，并于2025-06-16向國家知識產權局提交的專利申請。

本一種數據重讀方法、存儲器及存儲介質在說明書摘要公布了：本申請涉及EMMC研發性能技術領域，尤其涉及一種數據重讀方法、存儲器及存儲介質，該方法包括：統計閃存頁中n種數據狀態分別對應的基本存儲單元的數量，得到n個數量，計為N0、N1、…、Nn?1，n≥2；根據N0至Nn?1之間的大小關系，確定閃存頁的電壓分布偏移狀態；根據閃存頁的電壓分布偏移狀態確定重讀電壓的偏移方向，并根據偏移方向從重讀表中篩選出對應的偏移電壓值；根據偏移電壓值執行重讀流程糾回數據或達到預設重讀次數后結束重讀流程。由此，本申請可以有效解決NANDFlash執行重讀流程時遍歷Retrytable次數多、重讀流程耗費時間長的問題等。

本發明授權一種數據重讀方法、存儲器及存儲介質在權利要求書中公布了：1.一種數據重讀方法，其特征在于，包括： 統計閃存頁中n種數據狀態分別對應的基本存儲單元的數量，得到n個數量，計為N0、N1、…、Nn-1，n≥2； 根據N0至Nn-1之間的大小關系，確定所述閃存頁的電壓分布偏移狀態；其中，所述電壓分布偏移狀態包括無偏、左偏和右偏； 根據所述閃存頁的電壓分布偏移狀態確定重讀電壓的偏移方向，并根據所述偏移方向從重讀表中篩選出對應的偏移電壓值，具體包括：若所述閃存頁的電壓分布偏移狀態為所述右偏，則從所述重讀表中篩選出大于零的偏移電壓值；和或，若所述閃存頁的電壓分布偏移狀態為所述左偏，則從所述重讀表中篩選出小于零的偏移電壓值； 根據所述偏移電壓值執行重讀流程糾回數據或達到預設重讀次數后結束重讀流程； 當所述閃存頁配置為MLC模式時，所述基本存儲單元的數據狀態包括：“00”、“01”、“10”和“11”； 所述統計閃存頁中n種數據狀態分別對應的基本存儲單元的數量，包括： 統計閃存頁內“11”狀態、“01”狀態、“00”狀態和“10”狀態分別對應的基本存儲單元的數量，依次對應得到N0、N1、N2和N3； 所述根據N0至Nn-1之間的大小關系，確定閃存頁的電壓分布偏移狀態，包括： 若所述閃存頁類型為低位頁時， 對于閾值電壓R2＇，比較N0+N1與N2+N3的大小： 若N0+N1＞N2+N3，則所述閃存頁的電壓分布偏移狀態為左偏； 若N0+N1N2+N3，則所述閃存頁的電壓分布偏移狀態為右偏； 若相等，則所述閃存頁的電壓分布偏移狀態為無偏； 若所述閃存頁類型為高位頁時，對于閾值電壓R1＇，比較3×N0與N1+N2+N3的大小： 若3×N0大于N1+N2+N3，則所述閃存頁的電壓分布偏移狀態為左偏； 若3×N0小于N1+N2+N3，則所述閃存頁的電壓分布偏移狀態為右偏； 若相等，則所述閃存頁的電壓分布偏移狀態為無偏； 對于閾值電壓R3＇，比較3×N2與N1+N2+N3的大小： 若3×N2大于N1+N2+N3，則所述閃存頁的電壓分布偏移狀態為左偏； 若3×N2小于N1+N2+N3，則所述閃存頁的電壓分布偏移狀態為右偏； 若相等，則所述閃存頁的電壓分布偏移狀態為無偏。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人深圳佰維存儲科技股份有限公司，其通訊地址為：518000 廣東省深圳市南山區桃源街道平山社區留仙大道1213號眾冠紅花嶺工業南區2區4、8棟1層-3層及4棟4層；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。