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龍圖騰網獲悉遨天科技(成都)有限公司申請的專利一種正負極涂層多孔介質生成重構建模方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN120340714B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-16發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202510812032.X，技術領域涉及：G16C60/00；該發明授權一種正負極涂層多孔介質生成重構建模方法是由王紅霞;李書峰;余運超;盧春海;蔣玉龍設計研發完成，并于2025-06-18向國家知識產權局提交的專利申請。

本一種正負極涂層多孔介質生成重構建模方法在說明書摘要公布了：本發明涉及鋰電池正負極涂層分析技術領域，公開了一種正負極涂層多孔介質生成重構建模方法，包括根據正負極涂層孔徑分布的置信區間與無量綱化過程，采用四參數隨機生成方法建立正負極涂層多孔介質模型；采用基于笛卡爾背景網格的染色方法對正負極涂層多孔介質模型進行死區處理。本發明既可保證正負極涂層多孔介質的宏觀參數滿足要求，又可高效處理正負極涂層孔隙死區問題。

本發明授權一種正負極涂層多孔介質生成重構建模方法在權利要求書中公布了：1.一種正負極涂層多孔介質生成重構建模方法，其特征在于，包括以下步驟： 根據正負極涂層孔徑分布的置信區間與無量綱化過程，采用四參數隨機生成方法建立正負極涂層多孔介質模型；其中，所述采用四參數隨機生成方法建立正負極涂層多孔介質模型包括：設置笛卡爾背景網格的編號范圍和網格尺寸； 在笛卡爾背景網格上確定各個單元的孔徑和相應的概率密度，所述笛卡爾背景網格上各個單元上生成[0,1]內的隨機數； 搜索滿足下式的正負極涂層孔徑分布區間序號n： 其中，N為正負極涂層孔徑分布區間數量，ri，j，k為隨機數，di，j，k為單元i，j，k的孔徑，dn為將孔徑取值范圍均分為N段后的第n個孔徑值，pi，j，k為單元i，j，k的概率密度，pn為dn對應的概率密度函數值； 取di，j，k＝dn，pi，j，k＝pn； 初始化笛卡爾背景網格上各個單元的標記，在笛卡爾背景網格上各個單元上生成[0,1]內的隨機數； 若滿足：其中，ri，j，k為隨機數，pi，j，k為單元i，j，k的概率密度，N為正負極涂層孔徑分布區間數量； 對標記為1的單元按照生長概率向相應方向上的相鄰單元生長，所述生長概率為單元孔徑與各個方向的生長系數的比值； 根據標記為1的單元數量計算當前孔隙率，并以當前孔隙率作為迭代提交進行迭代； 采用基于笛卡爾背景網格的染色方法對正負極涂層多孔介質模型進行死區處理。

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