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龍圖騰網獲悉成都瓴科微電子有限責任公司申請的專利一種基于壓控電流源的LDO頻率補償電路獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN120406645B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-16發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202510906272.6，技術領域涉及：G05F3/26；該發明授權一種基于壓控電流源的LDO頻率補償電路是由請求不公布姓名設計研發完成，并于2025-07-02向國家知識產權局提交的專利申請。

本一種基于壓控電流源的LDO頻率補償電路在說明書摘要公布了：本發明涉及模擬集成電路技術領域，公開了一種基于壓控電流源的LDO頻率補償電路，包括輸入差分放大模塊、功率調節模塊、頻率補償模塊和反饋分壓模塊，輸入差分放大模塊的輸出端與頻率補償模塊的輸入端電性連接，頻率補償模塊包括壓控電流源和補償電容C1，補償電容C1配合壓控電流源調整環路頻率響應，通過多級電流鏡加米勒補償網絡，針對性優化極點分布，配合補償電容C1米勒效應，可主動壓低主極點頻率，讓主極點遠離高頻區，保證環路相位裕度，從根本上抑制自激振蕩，讓輸出電壓穩定無波動。

本發明授權一種基于壓控電流源的LDO頻率補償電路在權利要求書中公布了：1.一種基于壓控電流源的LDO頻率補償電路，其特征在于，包括輸入差分放大模塊、功率調節模塊、頻率補償模塊和反饋分壓模塊； 所述功率調節模塊包括MOS管MP，所述輸入差分放大模塊輸出的電流信號控制MOS管MP的柵極電壓，而調節MOS管MP的導通程度，所述MOS管MP的源極為輸出電壓Vout，所述反饋分壓模塊包括電阻R1和電阻R2，所述電阻R1和電阻R2串聯，所述電阻R1接在輸出電壓Vout上，所述電阻R2為接地設置； 所述輸入差分放大模塊的輸出端與頻率補償模塊的輸入端電性連接，所述頻率補償模塊包括壓控電流源和補償電容C1，所述補償電容C1配合壓控電流源調整環路頻率響應； 所述輸入差分放大模塊包括差分輸入級、第一電流鏡、第二電流鏡和偏置電路，所述差分輸入級用于對基準電壓Vref與反饋電壓Vfb進行比較后轉化為電流差，所述第一電流鏡配合差分輸入級，對信號初步放大，為后級提供合適電流信號，所述第二電流鏡和偏置電路為差分輸入級提供穩定偏置電流，確保電路工作在合適靜態工作點； 所述差分輸入級包括MOS管M1和MOS管M2，所述MOS管M1和MOS管M2是差分對管，所述MOS管M1的柵極接基準電壓Vref，所述MOS管M2的柵極接反饋電壓Vfb； 所述第一電流鏡包括MOS管M3、MOS管M4、MOS管M5和MOS管M6，所述MOS管M3和MOS管M4構成第一組電流鏡，所述MOS管M5和MOS管M6構成第二組電流鏡，所述MOS管M3的柵極與MOS管M4的柵極共接，所述MOS管M3的漏極與柵極連接，所述MOS管M3的漏極與MOS管M1的源極連接； 所述第二電流鏡包括MOS管M7和MOS管M8，所述MOS管M7的源極和MOS管M8組成第三組電流鏡，所述MOS管M7和MOS管M8的柵極共接，所述MOS管M7的源極和MOS管M8的源極與電源母線VDD連接，所述MOS管M7的漏極與MOS管M4的漏極連接，所述MOS管M8的漏極與MOS管M6的漏極共接； 所述偏置電路包括MOS管M11和MOS管M12，所述MOS管M12的源極與電源母線VDD連接，所述MOS管M12的漏極與MOS管M11的源極連接，所述MOS管M11的漏極分別與MOS管M1以及MOS管M12的源極共接； 所述MOS管M8的漏極與MOS管M6的漏極與MOS管MP的柵極連接。

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