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龍圖騰網獲悉無錫市乾野微納科技有限公司申請的專利基于多層金屬結構降低芯片RDSON阻值的封裝方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN120413445B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-16發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202510912289.2，技術領域涉及：H01L21/60；該發明授權基于多層金屬結構降低芯片RDSON阻值的封裝方法是由吉煒設計研發完成，并于2025-07-03向國家知識產權局提交的專利申請。

本基于多層金屬結構降低芯片RDSON阻值的封裝方法在說明書摘要公布了：本發明公開了基于多層金屬結構降低芯片RDSON阻值的封裝方法，涉及芯片封裝技術領域，應用于基于多層金屬結構的芯片封裝結構包括依循一直線方向設置的芯片基層、多層金屬層、電鍍層，所述多層金屬層包括粘附層、連接層、結合層；包括以下步驟：利用等離子清洗方式進行清洗預處理，并做異變檢測與分析，在獲取檢測數據后會進行第一步異變分析和或第二步異變分析；利用物理氣相沉積工藝進行多層金屬層的濺射沉積，并智能調整濺射參數；在多層金屬層的頂端表面涂附光刻膠，進行曝光顯影；利用電鍍工藝沉積厚銅；該方法能夠有利于提高各金屬層的沉積質量，以確保多層金屬結構的穩定性和性能。

本發明授權基于多層金屬結構降低芯片RDSON阻值的封裝方法在權利要求書中公布了：1.基于多層金屬結構降低芯片RDSON阻值的封裝方法，應用于基于多層金屬結構的芯片封裝結構，該結構包括依循一直線方向設置的芯片基層、多層金屬層、電鍍層，所述多層金屬層包括粘附層、連接層、結合層；其特征在于：包括以下步驟： S1：利用等離子清洗方式進行清洗預處理，并做異變檢測與分析，在獲取檢測數據后進行第一步異變分析和或第二步異變分析； S2：利用物理氣相沉積工藝進行多層金屬層的濺射沉積，并智能調整濺射參數，所述濺射參數包括濺射功率P、工作氣壓F，且濺射功率、工作氣壓均與沉積速率成正相關； 所述芯片基層自清洗預處理工序移動至濺射沉積工序過程中所經的固定移動路徑確定，并記為移動路徑距離L，所述移動路徑距離L上設置一p點位置，所述p點位置用于進行第一步異變分析，所述p點位置處設置有第一檢測模塊且相應設置有若干對應芯片基層表面的檢測點； 所述p點位置用p值確定，所述p值為從移動路徑起始點至第一檢測模塊所在位置點間的路徑距離占移動路徑距離L的比例，0＜p值≤1； 所述第一步異變分析用于判斷芯片基層每處檢測點的氧化層厚度的合格情況以及相應的異變總和值的正常情況；所述第二步異變分析在基于p值不等于1且異變總和值正常的情況下推算芯片基層的終端氧化數據，再將其分別與氧化層厚度限值、異變總和限值比較，進行相應工序選擇，所述相應工序包括濺射、更換、局部清洗。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人無錫市乾野微納科技有限公司，其通訊地址為：214063 江蘇省無錫市濱湖區建筑西路777號A3幢6層615；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。