合肥晶合集成電路股份有限公司楊杰獲國家專利權
買專利賣專利找龍圖騰，真高效！ 查專利查商標用IPTOP,全免費！專利年費監控用IP管家,真方便！
龍圖騰網獲悉合肥晶合集成電路股份有限公司申請的專利一種半導體器件及其制備方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN120456556B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-16發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202510933785.6，技術領域涉及：H10B41/41；該發明授權一種半導體器件及其制備方法是由楊杰;郭哲劭;郭廷晃設計研發完成，并于2025-07-08向國家知識產權局提交的專利申請。
本一種半導體器件及其制備方法在說明書摘要公布了：本發明提供一種半導體器件及其制備方法，半導體器件的制備方法包括以下步驟：在存儲區和外圍區的襯底上均形成有間隔設置的偽柵極結構，在存儲區和外圍區中，相鄰偽柵極結構間設有凹槽，偽柵極結構由下至上包括多晶硅層、第一硬掩模層和第二硬掩模層，外圍區的第二硬掩模層的厚度大于存儲區的第二硬掩模層的厚度；去除第二硬掩模層，將部分厚度的第一硬掩模層轉化為氮氧化硅硬掩模層，使得存儲區的氮氧化硅硬掩模層的上表面和外圍區的氮氧化硅硬掩模層的上表面在同一水平面上，這樣在平坦化處理所述介質層時存儲區和外圍區沒有臺階，從而有利于提高半導體器件的厚度均一性，進而提高了WAT測試的均一性以及器件良率。
本發明授權一種半導體器件及其制備方法在權利要求書中公布了：1.一種半導體器件的制備方法，其特征在于，包括以下步驟： 提供襯底，所述襯底包括存儲區和外圍區，在所述存儲區和外圍區的襯底上均形成有間隔設置的偽柵極結構，分別在所述存儲區和外圍區中，相鄰所述偽柵極結構之間設有凹槽，所述偽柵極結構由下至上依次包括多晶硅層、第一硬掩模層和第二硬掩模層，其中，位于所述外圍區的第二硬掩模層的厚度大于位于所述存儲區的第二硬掩模層的厚度； 去除所述第二硬掩模層，并將部分厚度的所述第一硬掩模層轉化為氮氧化硅硬掩模層； 在所述凹槽中填充介質層，所述介質層的上表面高于所述偽柵極結構的上表面； 平坦化處理所述介質層，并保留所述偽柵極結構中部分厚度的第一硬掩模層。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人合肥晶合集成電路股份有限公司，其通訊地址為：230012 安徽省合肥市新站區合肥綜合保稅區內西淝河路88號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
以上內容由AI智能生成
免責聲明
1、本報告根據公開、合法渠道獲得相關數據和信息，力求客觀、公正，但并不保證數據的最終完整性和準確性。
2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
1、本報告根據公開、合法渠道獲得相關數據和信息，力求客觀、公正，但并不保證數據的最終完整性和準確性。
2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
開放平臺
擔保交易
惠及多方
會員特惠
專屬平臺
適合多方
數據共享
功能齊全
皖公網安備 34010402703815號