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龍圖騰網獲悉深圳飛驤科技股份有限公司申請的專利恒溫式聲表面波濾波器及其制備方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN120498407B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-16發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202510952533.8，技術領域涉及：H03H3/08；該發明授權恒溫式聲表面波濾波器及其制備方法是由請求不公布姓名設計研發完成，并于2025-07-10向國家知識產權局提交的專利申請。

本恒溫式聲表面波濾波器及其制備方法在說明書摘要公布了：本發明涉及無線通訊技術領域，提供了一種恒溫式聲表面波濾波器及其制備方法，制備方法包括以下步驟：選擇壓電襯底，并在壓電襯底的上表面形成第一溝槽和第二溝槽；由壓電襯底的上表面沉積多晶硅以完全填充溝槽；對多晶硅進行研磨，直至暴露出壓電襯底；對多晶硅分別注入離子，形成n型熱偶對和p型熱偶對；對硅襯底的上表面制作第一介質層；對第一介質層形成的第一凹槽、第二凹槽以及第三凹槽內分別制作第一熱偶對互連層、第二熱偶對互連層以及第三熱偶對互連層；在第一介質層的上表面制作第二介質層；在壓電襯底的下表面制作叉指結構和第三介質層；得到恒溫式聲表面波濾波器。本發明的恒溫式聲表面波濾波器能夠提高溫度穩定性與功率耐受性能。

本發明授權恒溫式聲表面波濾波器及其制備方法在權利要求書中公布了：1.一種恒溫式聲表面波濾波器的制備方法，其特征在于，所述制備方法包括以下步驟： 步驟S1、選擇壓電襯底，并在所述壓電襯底的上表面形成第一溝槽和第二溝槽； 步驟S2、由所述壓電襯底的上表面沉積多晶硅以完全填充所述第一溝槽和所述第二溝槽； 步驟S3、對所述多晶硅進行研磨減薄，直至將所述壓電襯底的上表面完全暴露出； 步驟S4、向所述第一溝槽和所述第二溝槽內的所述多晶硅分別注入離子，分別形成n型熱偶對和p型熱偶對； 步驟S5、在所述壓電襯底的上表面制作第一介質層，且使所述第一介質層完全覆蓋所述壓電襯底、所述n型熱偶對和所述p型熱偶對； 步驟S6、對所述第一介質層進行開窗，以間隔形成第一凹槽、第二凹槽以及第三凹槽，并通過所述第一凹槽、第二凹槽以及所述第三凹槽暴露出所述n型熱偶對和所述p型熱偶對，并在所述第一凹槽、所述第二凹槽以及所述第三凹槽內分別形成第一熱偶對互連層、第二熱偶對互連層以及第三熱偶對互連層；其中，所述第一熱偶對互連層沿所述第一凹槽的槽內壁延伸并與所述n型熱偶對形成電連接，所述第二熱偶對互連層沿所述第二凹槽的槽內壁延伸并將所述n型熱偶對和所述p型熱偶對電連接，所述第三熱偶對互連層沿所述第三凹槽的槽內壁延伸并與所述p型熱偶對形成電連接； 步驟S7、在所述第一介質層的上表面制作第二介質層，以使所述第二介質層完全覆蓋所述第一熱偶對互連層、所述第二熱偶對互連層以及所述第三熱偶對互連層； 步驟S8、在所述壓電襯底的下表面形成叉指結構和第三介質層，并使所述第三介質層完全覆蓋所述壓電襯底的下表面和所述叉指結構； 步驟S9、對所述第二介質層進行開窗，以暴露出所述第一熱偶對互連層和所述第三熱偶對互連層；對所述第三介質層進行開窗，暴露所述叉指結構的接觸部，并在所述接觸部生長錫球，得到恒溫式聲表面波濾波器。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人深圳飛驤科技股份有限公司，其通訊地址為：518052 廣東省深圳市南山區南頭街道大汪山社區南光路286號水木一方大廈1棟1601；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。