重慶云潼科技有限公司廖光朝獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉重慶云潼科技有限公司申請的專利一種功率基板、功率模塊及功率模塊的制備方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN120453250B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-16發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202510967365.X，技術領域涉及：H01L23/373；該發明授權一種功率基板、功率模塊及功率模塊的制備方法是由廖光朝;王友強;王炳琨;劉繼平設計研發完成，并于2025-07-14向國家知識產權局提交的專利申請。
本一種功率基板、功率模塊及功率模塊的制備方法在說明書摘要公布了：本發明公開了一種功率基板、功率模塊及功率模塊的制備方法，應用于功率器件技術領域，包括：散熱結構；散熱結構包括散熱金屬板，散熱金屬板一側表面設置有凹槽；固定于凹槽底面的絕緣層；設置于絕緣層遠離散熱金屬板一側表面的電氣連接層；電氣連接層的頂面與凹槽底面的距離不小于凹槽的深度，電氣連接層與凹槽的側壁相互隔離。通過在散熱金屬板刻蝕凹槽，并在槽內直接設置絕緣層的方式，可以減少傳統金屬連接層的設置以及降低絕緣層到散熱金屬板底面的距離，從而降低散熱路徑，增加散熱效率。同時設置電氣連接層的頂面與凹槽底面的距離不小于凹槽的深度，使得功率芯片所處位置可以高于散熱金屬板，有利于功率模塊體積的減少。
本發明授權一種功率基板、功率模塊及功率模塊的制備方法在權利要求書中公布了：1.一種功率基板，其特征在于，包括： 散熱結構；所述散熱結構包括散熱金屬板，所述散熱金屬板一側表面設置有凹槽； 固定于所述凹槽底面的絕緣層； 設置于所述絕緣層遠離所述散熱金屬板一側表面的電氣連接層；所述電氣連接層的頂面與所述凹槽底面的距離不小于所述凹槽的深度，所述電氣連接層與所述凹槽的側壁相互隔離； 所述絕緣層包括與待鍵合的功率芯片中襯底材質相同的主體層，所述主體層至少在設置有所述電氣連接層的表面設置有絕緣膜層，所述電氣連接層通過所述絕緣膜層與所述主體層隔離； 所述電氣連接層為在第一溫度下固定功率芯片時具有流動性的金屬層，在焊接功率芯片時具有流動性的電氣連接層填充絕緣層與功率芯片之間的間隙。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人重慶云潼科技有限公司，其通訊地址為：400000 重慶市江北區魚嘴鎮永和路39號6層608室；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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