江蘇芯德半導體科技股份有限公司周進普獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉江蘇芯德半導體科技股份有限公司申請的專利QFN引線框架及其制備方法和QFN封裝結構獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN120473392B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-16發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202510975961.2，技術領域涉及：H01L21/48；該發明授權QFN引線框架及其制備方法和QFN封裝結構是由周進普;張灝杰;劉穎設計研發完成，并于2025-07-16向國家知識產權局提交的專利申請。
本QFN引線框架及其制備方法和QFN封裝結構在說明書摘要公布了：本發明提供了一種QFN引線框架及其制備方法和QFN封裝結構，QFN引線框架中，平面管腳設在框架單元正面的四個角，尾翼管腳折彎后垂直于框架單元的正面，平面管腳和尾翼管腳對框架單元的每個角形成了半包圍結構。本發明公開的QFN引線框架通過半包圍結構分散應力，降低開裂、崩壞風險。平面管腳也提供了額外的可焊表面，使熔融焊料更容易潤濕并附著，減少虛焊或拒焊的風險。QFN封裝結構通過使用四周具有半包圍結構的QFN引線框架，增強了封裝的結構強度，有效防止了封裝四角結構崩壞，提高了封裝結構的整體穩定性。因為平面管腳和尾翼管腳并不會被塑封料包裹，QFN封裝結構可以通過平面管腳和尾翼管腳進行散熱。
本發明授權QFN引線框架及其制備方法和QFN封裝結構在權利要求書中公布了：1.QFN引線框架的制備方法，其特征在于，所述方法包括以下步驟： S1、提供金屬基材，在金屬基材上陣列布置多個框架單元，采用化學蝕刻工藝在金屬基材正面形成基島和引腳，引腳設在框架單元四周邊緣處；在形成基島和引腳的同時，在框架單元四個角分別設置管腳，所述管腳包括平面管腳和尾翼管腳； S2、對金屬基材進行沖壓和切割，形成獨立的QFN引線框架，且平面管腳設在框架單元正面的四個角；尾翼管腳折彎后垂直于框架單元的正面，平面管腳和尾翼管腳對框架單元的每個角形成半包圍結構。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人江蘇芯德半導體科技股份有限公司，其通訊地址為：210000 江蘇省南京市浦口區浦口經濟開發區林春路8號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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1、本報告根據公開、合法渠道獲得相關數據和信息，力求客觀、公正，但并不保證數據的最終完整性和準確性。
2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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