南京大學;合肥國家實驗室徐尉宗獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉南京大學;合肥國家實驗室申請的專利氮化鎵達林頓晶體管及其制備方法獲國家發明授權專利權,本發明授權專利權由國家知識產權局授予,授權公告號為:CN120512917B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-16發布的發明授權授權公告中獲悉:該發明授權的專利申請號/專利號為:202510986235.0,技術領域涉及:H10D84/60;該發明授權氮化鎵達林頓晶體管及其制備方法是由徐尉宗;譚佳煒;顧廣揚;陸海;任芳芳;周峰;周東;張榮設計研發完成,并于2025-07-17向國家知識產權局提交的專利申請。
本氮化鎵達林頓晶體管及其制備方法在說明書摘要公布了:本發明公開一種氮化鎵達林頓晶體管及其制備方法,屬于半導體電子器件技術領域。該晶體管包括驅動管和輸出管,兩者均含自下而上的集電區、基區、發射區及對應集電極、基極、發射極;驅動管發射極與輸出管基極電連接,集電極并聯,輸出管有源區面積為驅動管的n倍(n1)。制備方法包括分立集成和片上集成。本發明通過級聯結構顯著提高電流放大倍數,發揮氮化鎵材料優勢,填補了氮化鎵達林頓晶體管的技術空缺,適用于高溫高壓高頻場景。
本發明授權氮化鎵達林頓晶體管及其制備方法在權利要求書中公布了:1.一種氮化鎵達林頓晶體管,其特征在于:包括驅動管(1)和輸出管(2),所述驅動管(1)和輸出管(2)的氮化鎵半導體外延結構均包括自下而上層疊設置的集電區(3)、基區(4)和發射區(5),所述驅動管(1)和輸出管(2)的電極結構均包括與集電區(3)相連的集電極(6)、與基區(4)相連的基極(7)以及與發射區(5)相連的發射極(8); 所述驅動管(1)的發射極(8)與所述輸出管(2)的基極(7)電連接,所述驅動管(1)的基極(7)作為達林頓晶體管的基極(7),所述輸出管(2)的發射極(8)作為達林頓晶體管的發射極(8),所述驅動管(1)的集電極(6)與所述輸出管(2)的集電極(6)并聯作為達林頓晶體管的至少部分集電極(6);所述發射區(5)面積為有源區面積,所述輸出管(2)的有源區面積為所述驅動管(1)的有源區面積的n倍,且n1。
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