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龍圖騰網(wǎng)獲悉龍騰半導(dǎo)體股份有限公司申請(qǐng)的專(zhuān)利一種集成N-PolySi/N-SiC異質(zhì)結(jié)SiC MOSFET及其制備方法獲國(guó)家發(fā)明授權(quán)專(zhuān)利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專(zhuān)利權(quán)由國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號(hào)為：CN120475746B 。

龍圖騰網(wǎng)通過(guò)國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-09-16發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專(zhuān)利申請(qǐng)?zhí)?專(zhuān)利號(hào)為：202510983608.9，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H10D30/66；該發(fā)明授權(quán)一種集成N-PolySi/N-SiC異質(zhì)結(jié)SiC MOSFET及其制備方法是由劉青;張朝陽(yáng)設(shè)計(jì)研發(fā)完成，并于2025-07-17向國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的專(zhuān)利申請(qǐng)。

本一種集成N-PolySi/N-SiC異質(zhì)結(jié)SiC MOSFET及其制備方法在說(shuō)明書(shū)摘要公布了：本發(fā)明公開(kāi)了一種集成N?PolySiN?SiC異質(zhì)結(jié)SiCMOSFET及其制備方法，涉及功率半導(dǎo)體器件技術(shù)領(lǐng)域，本發(fā)明的集成N?PolySiN?SiC異質(zhì)結(jié)SiCMOSFET，在n?SiC漂移區(qū)的表面刻蝕形成淺溝槽，通過(guò)淀積覆蓋淺溝槽的N?PolySi的肖特基接觸電極，與n?SiC漂移區(qū)之間形成淺槽型的N?PolySiN?SiC異質(zhì)結(jié)結(jié)構(gòu)，降低肖特基勢(shì)壘高度，提升器件的抗浪涌電流能力，降低第三象限的導(dǎo)通壓降，減小損耗。在JFET區(qū)也具有淺溝槽，使得JFET區(qū)正上方區(qū)域的柵氧化層厚度增加，從而降低JFET區(qū)上方的柵氧電場(chǎng)，提高器件的抗雪崩能力。

本發(fā)明授權(quán)一種集成N-PolySi/N-SiC異質(zhì)結(jié)SiC MOSFET及其制備方法在權(quán)利要求書(shū)中公布了：1.一種集成N-PolySiN-SiC異質(zhì)結(jié)SiCMOSFET，其特征在于，包括： 自下而上層疊設(shè)置的漏極（14）、n+-SiC襯底（1）和n-SiC漂移區(qū)（2）； 所述n-SiC漂移區(qū)（2）的上表面設(shè)置有多個(gè)間隔排布的溝槽（3），所述溝槽（3）兩側(cè)的n-SiC漂移區(qū)（2）的內(nèi)部設(shè)置有Pwell區(qū)（4），靠近器件兩側(cè)邊緣的兩個(gè)Pwell區(qū)（4）之間為JFET區(qū)； 所述Pwell區(qū)（4）內(nèi)設(shè)置有N+區(qū)（5）和P+區(qū)（6），其中，所述N+區(qū)（5）和所述P+區(qū)（6）相鄰設(shè)置，所述N+區(qū)（5）靠近所述JFET區(qū)，所述P+區(qū)（6）遠(yuǎn)離于所述JFET區(qū)； 所述JFET區(qū)的溝槽（3）的內(nèi)部、n-SiC漂移區(qū)（2）的上表面、Pwell區(qū)（4）的上表面以及N+區(qū)（5）的部分上表面設(shè)置有柵氧化層（7）； 所述柵氧化層（7）上設(shè)置有柵極（8），所述柵極（8）的頂部和側(cè)壁設(shè)置有隔離介質(zhì)（9）； 所述P+區(qū)（6）的上表面和所述N+區(qū)（5）的部分上表面設(shè)置有歐姆接觸電極（10），靠近器件中間的兩個(gè)歐姆接觸電極（10）之間的n-SiC漂移區(qū)（2）上設(shè)置有肖特基接觸電極（11），所述肖特基接觸電極（11）覆蓋所述溝槽（3）；所述肖特基接觸電極（11）的材料為N-PolySi；所述歐姆接觸電極（10）和所述肖特基接觸電極（11）通過(guò)互連金屬（12）相連； 靠近器件兩側(cè)的所述互連金屬（12）的部分上表面設(shè)置有鈍化層（13）。

如需購(gòu)買(mǎi)、轉(zhuǎn)讓、實(shí)施、許可或投資類(lèi)似專(zhuān)利技術(shù)，可聯(lián)系本專(zhuān)利的申請(qǐng)人或?qū)＠麢?quán)人龍騰半導(dǎo)體股份有限公司，其通訊地址為：710018 陜西省西安市經(jīng)濟(jì)技術(shù)開(kāi)發(fā)區(qū)鳳城十二路1號(hào)西安關(guān)中綜合保稅區(qū)A區(qū)龍騰產(chǎn)業(yè)園；或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服，聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話(huà)0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。