阜時科技有限公司高關且獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉阜時科技有限公司申請的專利單光子雪崩二極管、光電檢測裝置及電子設備獲國家實用新型專利權,本實用新型專利權由國家知識產權局授予,授權公告號為:CN223349004U 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-16發布的實用新型授權公告中獲悉:該實用新型的專利申請號/專利號為:202521516336.3,技術領域涉及:H10F30/225;該實用新型單光子雪崩二極管、光電檢測裝置及電子設備是由高關且;呂晨晉;劉德勝設計研發完成,并于2025-07-21向國家知識產權局提交的專利申請。
本單光子雪崩二極管、光電檢測裝置及電子設備在說明書摘要公布了:本申請提供了一種單光子雪崩二極管、光電檢測裝置及電子設備,該單光子雪崩二極管包括基底層、第一摻雜區、第二摻雜區、隔絕區、第一電極和第二電極;第一摻雜區位于基底層上方,第二摻雜區位于第一摻雜區上方,且第一摻雜區與第二摻雜區的凈摻雜類型相反,以在二者之間形成PN結,并在PN結交界面兩側形成耗盡區;隔絕區貼合于第一摻雜區和第二摻雜區水平方向的外側,且被構造為在高度方向上至少覆蓋第二摻雜區的上界面至第一摻雜區的下界面之間的區域;第一電極和第二電極被配置為向PN結施加反向偏置電壓,以在耗盡區形成雪崩區。該單光子雪崩二極管能夠在縮小整體尺寸時,不會影響到中間強縱向電場區域的尺寸。
本實用新型單光子雪崩二極管、光電檢測裝置及電子設備在權利要求書中公布了:1.一種單光子雪崩二極管,其特征在于,包括: 基底層(10); 第一摻雜區(20)和第二摻雜區(30),所述第一摻雜區(20)位于基底層(10)上方,所述第二摻雜區(30)位于所述第一摻雜區(20)上方,且所述第一摻雜區(20)與所述第二摻雜區(30)的凈摻雜類型相反,以在二者之間形成PN結,并在所述PN結交界面兩側形成耗盡區; 隔絕區(40),所述隔絕區(40)貼合于所述第一摻雜區(20)和所述第二摻雜區(30)水平方向的外側,且被構造為在高度方向上至少覆蓋所述第二摻雜區(30)的上界面至所述第一摻雜區(20)的下界面之間的區域; 第一電極(61)和第二電極(62),所述第一電極(61)與所述第一摻雜區(20)電連接,所述第二電極(62)與所述第二摻雜區(30)之間電連接,所述第一電極(61)與第一摻雜區(20)的連接區域和所述第二電極(62)與所述第二摻雜區(30)的連接區域形成重摻雜區,所述第一電極(61)和第二電極(62)被配置為向所述PN結施加反向偏置電壓,以在所述耗盡區形成雪崩區。
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