浙江芯微泰克半導體有限公司義嵐獲國家專利權
買專利賣專利找龍圖騰,真高效! 查專利查商標用IPTOP,全免費!專利年費監控用IP管家,真方便!
龍圖騰網獲悉浙江芯微泰克半導體有限公司申請的專利半導體器件的制造方法及制造系統獲國家發明授權專利權,本發明授權專利權由國家知識產權局授予,授權公告號為:CN120527226B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-16發布的發明授權授權公告中獲悉:該發明授權的專利申請號/專利號為:202511019760.1,技術領域涉及:H01L21/304;該發明授權半導體器件的制造方法及制造系統是由義嵐;王沖;陳輪興;陳杰;梁晉學;陳源山設計研發完成,并于2025-07-23向國家知識產權局提交的專利申請。
本半導體器件的制造方法及制造系統在說明書摘要公布了:本申請涉及一種半導體器件的制造方法及制造系統。首先,形成初始半導體結構,初始半導體結構包括相對的功能面和第一背面。然后,采用第一激光對第一背面進行減薄處理,形成過渡半導體結構。之后,獲取過渡半導體結構的應力數據。最后,基于應力數據調整第一激光的參數,采用調整后的第一激光對過渡半導體結構進行減薄處理。如此,對初始半導體結構進行減薄化過程中,實時地監測減薄化后的應力數據,并基于應力數據調整第一激光處理的參數,以對過渡半導體結構進行減薄,有利于減小對過渡半導體結構進行減薄而產生的應力,減少應力損傷。
本發明授權半導體器件的制造方法及制造系統在權利要求書中公布了:1.一種半導體器件的制造方法,其特征在于,包括: 形成初始半導體結構,所述初始半導體結構包括相對的功能面和第一背面; 采用第一激光對所述第一背面進行減薄處理,形成過渡半導體結構; 獲取所述過渡半導體結構的應力數據; 基于所述應力數據調整所述第一激光的參數,并采用調整后的第一激光對所述過渡半導體結構進行減薄處理。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術,可聯系本專利的申請人或專利權人浙江芯微泰克半導體有限公司,其通訊地址為:323000 浙江省麗水市蓮都區南明山街道上徐路2號;或者聯系龍圖騰網官方客服,聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
1、本報告根據公開、合法渠道獲得相關數據和信息,力求客觀、公正,但并不保證數據的最終完整性和準確性。
2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解,僅供參考使用,不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。