應用材料以色列公司R·克里斯獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉應用材料以色列公司申請的專利評估與三維NAND存儲器單元有關的中間產品獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN112447543B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-12發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202010921120.0，技術領域涉及：H01L21/66；該發明授權評估與三維NAND存儲器單元有關的中間產品是由R·克里斯;V·維利沙金;A·沙米爾;E·薩默;S·杜夫德瓦尼-巴;M·L·C·林設計研發完成，并于2020-09-04向國家知識產權局提交的專利申請。
本評估與三維NAND存儲器單元有關的中間產品在說明書摘要公布了：用于評估與三維NAND存儲器單元有關的中間產品的方法、非瞬態計算機可讀介質和評估系統。評估系統可包括成像器和處理電路。成像器可配置成經由開放間隙獲得屬于中間產品的結構元件的一部分的電子圖像。結構元件可以包括一系列層，所述一系列層可以包括頂層，所述頂層后跟交替的非導電層和凹陷的導電層。成像器可包括電子光學器件，所述電子光學器件配置成使用電子束掃描結構元件的一部分，所述電子束傾斜于開放間隙的縱軸。處理電路配置成基于電子圖像評估中間產品。開放間隙a展現出高深寬比，b具有納米量級尺度的寬度，并且c形成在中間產品的結構元件之間。
本發明授權評估與三維NAND存儲器單元有關的中間產品在權利要求書中公布了：1.一種評估系統，包括： 成像器，所述成像器配置成經由開放間隙獲得屬于中間產品的結構元件的一部分的電子圖像，所述中間產品通過三維NAND存儲器單元的制造工藝的一個或多個制造階段來制造，所述結構元件包括一系列層，所述一系列層包括頂層，所述頂層后跟交替的非導電層和凹陷的導電層，其中所述成像器包括電子光學器件，所述電子光學器件配置成使用電子束掃描所述結構元件的所述部分，所述電子束傾斜于所述開放間隙的縱軸；以及 處理電路，所述處理電路配置成基于所述電子圖像評估所述中間產品； 其中所述開放間隙a展現出高深寬比，b具有納米量級尺度的寬度，并且c形成在所述中間產品的結構元件之間。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人應用材料以色列公司，其通訊地址為：以色列瑞哈佛特市；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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1、本報告根據公開、合法渠道獲得相關數據和信息，力求客觀、公正，但并不保證數據的最終完整性和準確性。
2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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