買專利賣專利找龍圖騰，真高效！ 查專利查商標用IPTOP,全免費！專利年費監(jiān)控用IP管家,真方便！

龍圖騰網(wǎng)獲悉常州佳訊光電產(chǎn)業(yè)發(fā)展有限公司申請的專利一種碳化硅MOSFET內(nèi)驅(qū)動保護裝置獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號為：CN112821740B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-09-12發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為：202110086631.X，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H02M1/32；該發(fā)明授權(quán)一種碳化硅MOSFET內(nèi)驅(qū)動保護裝置是由呂全亞;周俏燕;莊娟梅;陳麗娜設(shè)計研發(fā)完成，并于2021-01-22向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。

本一種碳化硅MOSFET內(nèi)驅(qū)動保護裝置在說明書摘要公布了：本發(fā)明涉及一種碳化硅MOSFET內(nèi)驅(qū)動保護裝置，包括主芯片、基板，主芯片和基板分別設(shè)置在金屬板的同一平面不同，金屬板一側(cè)設(shè)有柵極、漏極、源極和金屬極；金屬板外表面設(shè)有封裝殼體；主芯片上設(shè)有第一觸點、第二觸點、第三觸點，第一觸點引出端為柵極，第二觸點引出端為漏極，第三觸點引出端為源極，第一觸點、第二觸點和第三觸點設(shè)置在主芯片不同區(qū)域；基板上設(shè)有限流電阻、熱敏電阻、穩(wěn)壓管；熱敏電阻與穩(wěn)壓管并聯(lián)后與限流電阻串聯(lián)。該內(nèi)驅(qū)動保護裝置通過對碳化硅MOSFET進行柵驅(qū)動電壓限制和熱量限制，有效解決柵驅(qū)動電壓被擊穿和電路熱量平衡問題，提高電力電子變換器的可靠性；該碳化硅MOSFET不需要引入外置保護電路，結(jié)構(gòu)簡單，裝配簡便。

本發(fā)明授權(quán)一種碳化硅MOSFET內(nèi)驅(qū)動保護裝置在權(quán)利要求書中公布了：1.一種碳化硅MOSFET內(nèi)驅(qū)動保護裝置，其特征在于：包括主芯片、基板，所述主芯片和基板分別設(shè)置在金屬板的同一平面的不同區(qū)域，所述金屬板一側(cè)設(shè)有柵極、漏極、源極和金屬極；所述金屬板外表面設(shè)有封裝殼體； 所述主芯片上設(shè)有第一觸點、第二觸點、第三觸點，所述第一觸點引出端為柵極，第二觸點引出端為漏極，第三觸點引出端為源極，所述第一觸點、第二觸點和第三觸點設(shè)置在主芯片不同區(qū)域； 所述基板上設(shè)有限流電阻、熱敏電阻、穩(wěn)壓管；限流電阻第一點位與柵極電連接，限流電阻第二點位與熱敏電阻第二點位電電連接，熱敏電阻第二點位電還與穩(wěn)壓管第二點位電連接，熱敏電阻第一點位與穩(wěn)壓管第一點位電連接，所述源極與熱敏電阻第一點位或穩(wěn)壓管第一點位電連接；穩(wěn)壓管第二點位與主芯片上第一觸點電連接，所述第三觸點與源極電連接，所述金屬極與第二觸點電連接；即所述熱敏電阻與穩(wěn)壓管并聯(lián)后與限流電阻串聯(lián)。

如需購買、轉(zhuǎn)讓、實施、許可或投資類似專利技術(shù)，可聯(lián)系本專利的申請人或?qū)＠麢?quán)人常州佳訊光電產(chǎn)業(yè)發(fā)展有限公司，其通訊地址為：213000 江蘇省常州市新北區(qū)鏡湖路8號；或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服，聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。